Demonstrando parâmetros de nível de produção do ReRAM do Weebit tecnologia em 28 nm é um passo fundamental para a produção de memória não volátil incorporada (NVM).
Weebit e CEA-Leti testaram, caracterizaram e mediram arrays ReRAM funcionais de 1 Megabit (Mb) em uma tecnologia de processo de 28 nm em wafers de 300 mm.
Os arrays ReRAM de 28 nm são implementados usando um dispositivo de comutação pequeno e eficiente em termos de energia, aproveitando ao máximo os recursos de baixa potência e baixa tensão do processo de 28 nm e permitindo um aumento de até 4 vezes na densidade da memória.
Teste do Weebit's one-Transistor-XNUMX-Resistor (1T1R) Arrays ReRAM, embutidos em FDSOI 28nm, provaram sua robustez, durabilidade e retenção de dados.
Esta demonstração posiciona a tecnologia ReRAM da Weebit como uma tecnologia de memória potencial em NVM para processos onde não é mais técnica ou economicamente viável usar flash incorporado.