Dimostrazione dei parametri del livello di produzione della ReRAM di Weebit la tecnologia a 28 nm rappresenta un passo fondamentale verso la produzione della memoria non volatile incorporata (NVM).
Weebit e CEA-Leti hanno testato, caratterizzato e misurato array ReRAM funzionali da 1 Megabit (Mb) in una tecnologia di processo a 28 nm su wafer da 300 mm.
Gli array ReRAM a 28 nm sono implementati utilizzando un dispositivo di commutazione piccolo ed efficiente dal punto di vista energetico, sfruttando appieno le capacità di bassa potenza e bassa tensione del processo a 28 nm e consentendo un aumento fino a 4 volte della densità di memoria.
Test di uno di Weebit-Transistor-uno-Resistore (1T1R) Gli array ReRAM, incorporati in FDSOI a 28 nm, hanno dimostrato la loro robustezza, resistenza e conservazione dei dati.
Questa dimostrazione posiziona la tecnologia ReRAM di Weebit come una potenziale tecnologia di memoria in NVM per i processi in cui non è più tecnicamente o economicamente fattibile utilizzare la memoria flash incorporata.