Weebit の ReRAM の実稼働レベルのパラメータのデモ テクノロジー 28nm での実装は、組み込み不揮発性メモリ (NVM) の製品化に向けた重要なステップです。
WeebitとCEA-Letiは、1mmウェーハ上の28nmプロセス技術で機能的な300メガビット（Mb）ReRAMアレイを共同でテスト、特性評価、測定しました。
28nm ReRAMアレイは、小型で電力効率の高いスイッチングデバイスを使用して実装され、28nmプロセスの低電力および低電圧機能を最大限に活用し、メモリ密度を最大4倍に高めることができます。
Weebitのもののテスト-トランジスタ-一-抵抗 （1T1R）28nm FDSOIに組み込まれたReRAMアレイは、その堅牢性、耐久性、およびデータ保持を証明しました。
このデモンストレーションでは、WeebitのReRAMテクノロジを、組み込みフラッシュを使用することが技術的または経済的に実現不可能になったプロセス向けのNVMの潜在的なメモリテクノロジとして位置付けています。