הדגמת פרמטרים של רמת הייצור של ה-ReRAM של Weebit טֶכנוֹלוֹגִיָה ב-28nm הוא צעד מפתח לקראת ייצור של זיכרון לא נדיף מוטבע (NVM).
Weebit ו- CEA-Leti בדקו, אפיינו ומדדו במערך ReRAM פונקציונלי 1 מגה-ביט (Mb) בטכנולוגיית תהליך 28 ננומטר על פרוסות 300 מ"מ.
מערכי ReRAM של 28nm מיושמים באמצעות מכשיר מיתוג קטן וחסכוני בחשמל, תוך ניצול מלא של יכולות ההספק הנמוך ומתח נמוך של תהליך 28nm, ומאפשר גידול של עד פי 4 בצפיפות הזיכרון.
בדיקת האחד- של Weebitטרנזיסטור-אחד-נַגָד (1T1R) מערכי ReRAM, המוטמעים ב- FDSOI 28nm, הוכיחו את עמידותו, סיבולתו ושמירת הנתונים.
הדגמה זו מציבה את טכנולוגיית ReRAM של Weebit כטכנולוגיית זיכרון פוטנציאלית ב- NVM לתהליכים שבהם כבר לא ניתן מבחינה טכנית או כלכלית להשתמש בפלאש מוטבע.