Demostración de los parámetros de nivel de producción de ReRAM de Weebit la tecnología a 28 nm es un paso clave hacia la producción de memoria no volátil (NVM) integrada.
Weebit y CEA-Leti probaron, caracterizaron y midieron conjuntos ReRAM funcionales de 1 Megabit (Mb) en una tecnología de proceso de 28 nm en obleas de 300 mm.
Las matrices ReRAM de 28 nm se implementan utilizando un dispositivo de conmutación pequeño y de bajo consumo, aprovechando al máximo las capacidades de baja potencia y bajo voltaje del proceso de 28 nm y permitiendo un aumento de hasta 4 veces en la densidad de memoria.
Prueba del único de WeebitTransistor-uno-Resistencia (1T1R) Los arreglos ReRAM, integrados en FDSOI de 28 nm, demostraron su robustez, resistencia y retención de datos.
Esta demostración posiciona la tecnología ReRAM de Weebit como una tecnología de memoria potencial en NVM para procesos en los que ya no es técnica o económicamente factible utilizar flash integrado.