SureCore의 초저전력 메모리는 지능형 웨어러블을 가능하게 합니다.

웨어러블 전자 제품 및 이어버드 시장은 급격히 성장하고 있으며 더 많은 기능이 추가됨에 따라 인텔리전스에 대한 요구는 설계자가 칩에 더 많은 임베디드 메모리를 추가해야 하므로 전력 수요가 증가하게 됩니다.

실제로 일부 설계의 경우 이러한 전력 요구량이 전체 장치 전력 예산의 50%를 차지할 수 있습니다. 제한된 폼 팩터를 사용하는 배터리 구동 애플리케이션의 경우 이는 설계 팀이 실행 가능한 제품을 만드는 데 큰 어려움을 초래합니다.

이에 따라 SureCore는 초저전력 메모리 장치인 EverOn을 개발했습니다.

임베디드 메모리 전문가인 SureCore의 CEO인 Paul Wells는 “이 초저전력 메모리 장치는 표준 '기성품' 메모리보다 최대 50% 적은 전력을 필요로 하기 때문에 이러한 제품 설계를 실현 가능하게 만들 수 있습니다. “추가 기능에 대한 전력 패널티는 이제 디자이너들이 차세대 장치에 대한 실질적인 제한으로 인식하고 있으며 결과적으로 우리는 스마트 시계, 피트니스 트래커 및 이어버드에 대한 여러 라이선스 계약에 서명하고 있습니다. 우리의 SRAM IP는 '선도적인 파운드리' 프로세스에서 입증된 실리콘으로 고객이 전력 수요 증가를 최소화하고 시장 출시 시간을 단축할 수 있습니다.”

소호와 함께w 전압 작동 전력을 줄이기 위한 경로로 설계 방법론이 더욱 널리 보급되고 있으며, 이는 애플리케이션 처리 요구 사항에 따라 작동 전압을 동적으로 감소시킴으로써 달성되고 있습니다.

표준 논리 셀은 신중한 설계로 넓은 전압 범위에서 작동할 수 있으며 종종 임계 전압에 가깝습니다. 그러나 기성 SRAM IP는 공정 공칭 전압에서만 작동할 수 있습니다. 동일한 칩에 두 개를 통합한다는 것은 많은 전력을 소비하는 레벨 시프팅 회로가 있는 두 개의 다른 전원 레일을 사용하여 메모리에 더 높은 전압을 제공하고 전압 도메인 간에 교차하는 신호를 처리하기 위한 추가 회로를 추가하는 것을 의미합니다.

이는 설계 및 검증의 복잡성을 가중시킬 뿐만 아니라 실리콘 면적을 추가합니다.

EverOn SRAM IP는 프로세스 공칭 작동 전압에서 가장 낮은 작동 전압을 효과적으로 지시하는 비트 셀 유지 전압까지 작동 시 전력을 절약하도록 전압이 조정되는 이러한 종류의 시스템을 위해 특별히 설계되었습니다.

선도적인 40nm 공정에서 technology, 이는 추가 회로나 전원 레일 없이 1.21V에서 0.6V까지를 의미합니다. 따라서 칩의 전압은 작업에 대한 성능 요구 사항에 맞춰 동적으로 위아래로 조정되어 필요에 따라 전력을 절약할 수 있습니다. 예를 들어 고성능에서 저성능 모드로 전환되거나 절전 모드 해제 이벤트를 기다리는 모니터링 상태로 전환될 수도 있습니다. 이로 인해 칩 설계가 훨씬 단순해졌습니다. 대조적으로, 기존 메모리를 사용하는 칩의 전압 조정은 훨씬 더 복잡합니다. 로직 부분은 쉽게 떨어지지만 메모리에 대한 전압은 더 높은 작동 전압으로 유지되어야 하기 때문입니다.

기성품 SRAM IP는 일반적으로 전력보다는 고밀도 또는 고속에 최적화되어 있으며, 이로 인해 가변 전압, 전력 최적화 시스템에 통합하는 데 어려움이 있습니다. EverOn은 SureCore의 특허 기술을 사용하여 작동 전압 유연성을 달성할 수 있습니다. 스마트 어시스트 IP의 필수적인 부분인 회로는 훨씬 단순화된 통합 및 검증 요구 사항을 부여합니다. 이 방법론은 설계자가 기존 접근 방식에 비해 최대 50%의 전력 절감을 제공하는 효과적인 전략입니다.

SureCore의 CTO인 Tony Stansfield는 “칩의 전압을 쉽고 동적으로 떨어뜨릴 수 있는 것은 전력 절약의 핵심입니다. 왜냐하면 전력은 전압의 제곱에 비례하기 때문입니다. 예를 들어, 0.9V에서 0.6V로 떨어지면 전력이 대략 절반으로 줄어듭니다. 배터리로 작동되는 장치에서는 저전력이 가장 중요하므로 메모리가 많은 설계에서 이 절약량은 중요할 수 있습니다. 더 많은 지능으로 이러한 장치를 '더 스마트'하게 만들기 위한 지속적인 노력이 있습니다. 이는 전력 예산 및 배터리 용량 계산이 작동하도록 하기 위해 매우 전력 설계가 필요한 메모리의 양이 증가함을 의미합니다. EverOn 초저전력 메모리는 차세대 지능형 배터리 구동 장치를 가능하게 합니다.”