IRL2910PBF
#IRL2910PBF International Rectifier IRL2910PBF Neuer IRL2910PBF Leistungs-Feldeffekt Transistor, 55A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Metalloxid Halbleiter FET, TO-220AB, BLEIFREI PAKET-3; IRL2910PBF , IRL2910PBF Bilder, IRL2910PBF Preis, #IRL2910PBF Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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Hersteller-Teilenummer: IRL2910PBF
Rohs Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Aktiv
Hersteller: Infineon TECHNOLOGIEN AG
Paketbeschreibung: FLANSCHHALTERUNG, R-PSFM-T3
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: Infineon Technologies AG
Risikorang: 0.75
Zusatzfunktion: LAWINENBEWERTUNG, HOHE ZUVERLÄSSIGKEIT
Lawinenenergie-Bewertung (Eas): 520 mJ
Gehäuseanschluss: DRAIN
Konfiguration: EINZELN MIT EINGEBAUTER DIODE
DS-Aufschlüsselung Spannung-Min: 100 V.
Drainstrom-Max (Abs) (ID): 48 A
Drainstrom-Max (ID): 55 A
Drain-Quelle Ein Widerstand-Max: 0.03 Ω
FET Technologie: METALLOXID HALBLEITER
JEDEC-95-Code: TO-220AB
JESD-30-Code: R-PSFM-T3
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 3
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Betriebstemperatur-Max: 175 ° C.
Betriebstemperatur-Min: -55 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: FLANSCHHALTERUNG
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): NICHT ANGEGEBEN
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Verlustleistung-Max (Abs): 150 W.
Gepulster Drainstrom-Max (IDM): 190 A
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Unterkategorie: FET-Allzweckstrom
Aufputz: NR
Anschlussform: DURCHLÖCHER
Anschlussposition: EINZELN
Uhrzeit
Leistungs-Feldeffekttransistor, 55A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Metall-Oxid-Halbleiter-FET, TO-220AB, BLEIFREI PAKET-3
Rohs Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Aktiv
Hersteller: Infineon TECHNOLOGIEN AG
Paketbeschreibung: FLANSCHHALTERUNG, R-PSFM-T3
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: Infineon Technologies AG
Risikorang: 0.75
Zusatzfunktion: LAWINENBEWERTUNG, HOHE ZUVERLÄSSIGKEIT
Lawinenenergie-Bewertung (Eas): 520 mJ
Gehäuseanschluss: DRAIN
Konfiguration: EINZELN MIT EINGEBAUTER DIODE
DS-Aufschlüsselung Spannung-Min: 100 V.
Drainstrom-Max (Abs) (ID): 48 A
Drainstrom-Max (ID): 55 A
Drain-Quelle Ein Widerstand-Max: 0.03 Ω
FET Technologie: METALLOXID HALBLEITER
JEDEC-95-Code: TO-220AB
JESD-30-Code: R-PSFM-T3
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 3
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Betriebstemperatur-Max: 175 ° C.
Betriebstemperatur-Min: -55 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: FLANSCHHALTERUNG
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): NICHT ANGEGEBEN
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Verlustleistung-Max (Abs): 150 W.
Gepulster Drainstrom-Max (IDM): 190 A
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Unterkategorie: FET-Allzweckstrom
Aufputz: NR
Anschlussform: DURCHLÖCHER
Anschlussposition: EINZELN
Uhrzeit
Leistungs-Feldeffekttransistor, 55A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Metall-Oxid-Halbleiter-FET, TO-220AB, BLEIFREI PAKET-3
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