IRL2910PBF
#IRL2910PBF Penyearah Internasional IRL2910PBF Efek Medan Daya IRL2910PBF Baru Transistor, 55A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semikonduktor FET, TO-220AB, PAKET GRATIS PIMPIN-3; IRL2910PBF , gambar IRL2910PBF, harga IRL2910PBF, pemasok #IRL2910PBF
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Nomor Bagian Pabrikan: IRL2910PBF
Kode Rohs: Ya
Bagian Kode Siklus Hidup: Aktif
Produsen: Infineon TEKNOLOGI AG
Deskripsi Paket: FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Kode ECCN: EAR99
Produsen: Infineon Technologies AG
Peringkat Risiko: 0.75
Fitur Tambahan: AVALANCHE RATED, KEANDALAN TINGGI
Peringkat Energi Longsor (Eas): 520 mJ
Koneksi Kasus: DRAIN
Konfigurasi: TUNGGAL DENGAN DIODE BUILT-IN
Kerusakan DS tegangan-Minimal: 100 V.
Drain Current-Max (Abs) (ID): 48 A
Tiriskan Arus-Maksimum (ID): 55 A
Drain-source On Resistance-Max: 0.03
FET Teknologi: LOGAM-OKSIDA SEMIKONDUKTOR
JEDEC-95 Kode: TO-220AB
Kode JESD-30: R-PSFM-T3
Jumlah Elemen: 1
Jumlah Terminal: 3
Mode Operasi: MODE PENINGKATAN
Suhu Operasional-Max: 175 ° C
Suhu Operasional-Min: -55 ° C
Paket Bahan Tubuh: PLASTIK / KOSONG
Bentuk Paket: RECTANGULAR
Gaya Paket: FLANGE MOUNT
Peak Reflow Temperature (Cel): TIDAK DITENTUKAN
Polaritas / Jenis Saluran: N-CHANNEL
Pembuangan Daya-Max (Abs): 150 W.
Arus Tiriskan Berdenyut-Maks (IDM): 190 A
Status Kualifikasi: Tidak Terkualifikasi
Subkategori: Kekuatan Tujuan Umum FET
Pemasangan Permukaan: TIDAK
Formulir Terminal: THROUGH-HOLE
Posisi Terminal: TUNGGAL
Waktu
Transistor Efek Medan Daya, 55A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PAKET GRATIS LEAD-3
Kode Rohs: Ya
Bagian Kode Siklus Hidup: Aktif
Produsen: Infineon TEKNOLOGI AG
Deskripsi Paket: FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Kode ECCN: EAR99
Produsen: Infineon Technologies AG
Peringkat Risiko: 0.75
Fitur Tambahan: AVALANCHE RATED, KEANDALAN TINGGI
Peringkat Energi Longsor (Eas): 520 mJ
Koneksi Kasus: DRAIN
Konfigurasi: TUNGGAL DENGAN DIODE BUILT-IN
Kerusakan DS tegangan-Minimal: 100 V.
Drain Current-Max (Abs) (ID): 48 A
Tiriskan Arus-Maksimum (ID): 55 A
Drain-source On Resistance-Max: 0.03
FET Teknologi: LOGAM-OKSIDA SEMIKONDUKTOR
JEDEC-95 Kode: TO-220AB
Kode JESD-30: R-PSFM-T3
Jumlah Elemen: 1
Jumlah Terminal: 3
Mode Operasi: MODE PENINGKATAN
Suhu Operasional-Max: 175 ° C
Suhu Operasional-Min: -55 ° C
Paket Bahan Tubuh: PLASTIK / KOSONG
Bentuk Paket: RECTANGULAR
Gaya Paket: FLANGE MOUNT
Peak Reflow Temperature (Cel): TIDAK DITENTUKAN
Polaritas / Jenis Saluran: N-CHANNEL
Pembuangan Daya-Max (Abs): 150 W.
Arus Tiriskan Berdenyut-Maks (IDM): 190 A
Status Kualifikasi: Tidak Terkualifikasi
Subkategori: Kekuatan Tujuan Umum FET
Pemasangan Permukaan: TIDAK
Formulir Terminal: THROUGH-HOLE
Posisi Terminal: TUNGGAL
Waktu
Transistor Efek Medan Daya, 55A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PAKET GRATIS LEAD-3
« BSM15GP120 VI-B7R-UE »