IRL2910PBF
#IRL2910PBF Retificador Internacional IRL2910PBF Novo Efeito de Campo de Potência IRL2910PBF Transistor, 55A I (D), 100 V, 0.03 ohm, 1 elemento, canal N, silício, óxido metálico Semicondutores FET, TO-220AB, PACOTE SEM CHUMBO-3; IRL2910PBF, imagens IRL2910PBF, preço IRL2910PBF, fornecedor # IRL2910PBF
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Email: sales@shunlongwei.com
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Número da peça do fabricante: IRL2910PBF
Código Rohs: Sim
Código do ciclo de vida da peça: ativo
Fabricante Ihs: Infineon TECNOLOGIAS AG
Descrição do pacote: FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Código ECCN: EAR99
Fabricante: Infineon Technologies AG
Classificação de risco: 0.75
Recurso adicional: AVALANCHE AVALIADO, ALTA CONFIABILIDADE
Classificação de energia de avalanche (Eas): 520 mJ
Conexão do caso: DRAIN
Configuração: ÚNICO COM DIODO INCORPORADO
Discriminação DS Voltagem-Min: 100 V
Corrente de drenagem - Máx. (Abs) (ID): 48 A
Corrente de drenagem-Máx (ID): 55 A
Fonte de drenagem On Resistance-Max: 0.03 Ω
FET Equipar: ÓXIDO METÁLICO SEMICONDUTOR
Código JEDEC-95: TO-220AB
Código JESD-30: R-PSFM-T3
Número de elementos: 1
Número de terminais: 3
Modo de operação: MODO DE MELHORIA
Temperatura operacional máx .: 175 ° C
Temperatura de operação-Min: -55 ° C
Material do corpo da embalagem: PLÁSTICO / EPÓXI
Forma da embalagem: RETANGULAR
Estilo do pacote: FLANGE MOUNT
Temperatura de pico de refluxo (Cel): NÃO ESPECIFICADA
Polaridade / tipo de canal: N-CHANNEL
Dissipação de potência - Máx. (Abs): 150 W
Corrente de drenagem pulsada-Máx (IDM): 190 A
Status de qualificação: Não qualificado
Subcategoria: Poder de uso geral do FET
Montagem em superfície: NÃO
Formulário do Terminal: THROUGH-HOLE
Posição terminal: SINGLE
Horário
Transistor de efeito de campo de potência, 55A I (D), 100 V, 0.03 ohm, 1 elemento, canal N, silício, semicondutor de óxido metálico FET, TO-220AB, PACOTE LIVRE DE CHUMBO-3
Código Rohs: Sim
Código do ciclo de vida da peça: ativo
Fabricante Ihs: Infineon TECNOLOGIAS AG
Descrição do pacote: FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Código ECCN: EAR99
Fabricante: Infineon Technologies AG
Classificação de risco: 0.75
Recurso adicional: AVALANCHE AVALIADO, ALTA CONFIABILIDADE
Classificação de energia de avalanche (Eas): 520 mJ
Conexão do caso: DRAIN
Configuração: ÚNICO COM DIODO INCORPORADO
Discriminação DS Voltagem-Min: 100 V
Corrente de drenagem - Máx. (Abs) (ID): 48 A
Corrente de drenagem-Máx (ID): 55 A
Fonte de drenagem On Resistance-Max: 0.03 Ω
FET Equipar: ÓXIDO METÁLICO SEMICONDUTOR
Código JEDEC-95: TO-220AB
Código JESD-30: R-PSFM-T3
Número de elementos: 1
Número de terminais: 3
Modo de operação: MODO DE MELHORIA
Temperatura operacional máx .: 175 ° C
Temperatura de operação-Min: -55 ° C
Material do corpo da embalagem: PLÁSTICO / EPÓXI
Forma da embalagem: RETANGULAR
Estilo do pacote: FLANGE MOUNT
Temperatura de pico de refluxo (Cel): NÃO ESPECIFICADA
Polaridade / tipo de canal: N-CHANNEL
Dissipação de potência - Máx. (Abs): 150 W
Corrente de drenagem pulsada-Máx (IDM): 190 A
Status de qualificação: Não qualificado
Subcategoria: Poder de uso geral do FET
Montagem em superfície: NÃO
Formulário do Terminal: THROUGH-HOLE
Posição terminal: SINGLE
Horário
Transistor de efeito de campo de potência, 55A I (D), 100 V, 0.03 ohm, 1 elemento, canal N, silício, semicondutor de óxido metálico FET, TO-220AB, PACOTE LIVRE DE CHUMBO-3
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