IRL2910PBF
#IRL2910PBF Rectificador internacional IRL2910PBF Nuevo efecto de campo de potencia IRL2910PBF Transistor, 55A I (D), 100V, 0.03ohm, 1 elemento, canal N, silicio, óxido metálico Semiconductores FET, TO-220AB, PAQUETE 3 SIN PLOMO; IRL2910PBF, imágenes IRL2910PBF, precio IRL2910PBF, proveedor # IRL2910PBF
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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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Número de parte del fabricante: IRL2910PBF
Código Rohs: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: activo
Fabricante de IHS: Infineon TECNOLOGÍAS AG
Descripción del paquete: MONTAJE DE BRIDA, R-PSFM-T3
Código ECCN: EAR99
Fabricante: Infineon Technologies AG
Rango de riesgo: 0.75
Característica adicional: AVALANCHE CLASIFICADO, ALTA FIABILIDAD
Clasificación energética de avalancha (Eas): 520 mJ
Conexión de la caja: DRAIN
Configuración: ÚNICO CON DIODO INTEGRADO
Desglose de DS voltaje-Mín: 100 V
Corriente de drenaje máxima (Abs) (ID): 48 A
Corriente de drenaje máxima (ID): 55 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 0.03 Ω
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL SEMICONDUCTOR
Código JEDEC-95: TO-220AB
Código JESD-30: R-PSFM-T3
Número de elementos: 1
Número de terminales: 3
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Temperatura de funcionamiento máxima: 175 ° C
Temperatura de funcionamiento mínima: -55 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: MONTAJE DE BRIDA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): NO ESPECIFICADA
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Disipación de energía-Máx. (Abs): 150 W
Corriente de drenaje pulsada-máx. (IDM): 190 A
Estado de calificación: no calificado
Subcategoría: FET General Purpose Power
Montaje en superficie: NO
Forma de terminal: THROUGH-HOLE
Posición terminal: SOLO
Horario
Transistor de efecto de campo de potencia, 55A I (D), 100V, 0.03ohm, 1 elemento, canal N, silicio, semiconductor de óxido metálico FET, TO-220AB, PAQUETE 3 SIN PLOMO
Código Rohs: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: activo
Fabricante de IHS: Infineon TECNOLOGÍAS AG
Descripción del paquete: MONTAJE DE BRIDA, R-PSFM-T3
Código ECCN: EAR99
Fabricante: Infineon Technologies AG
Rango de riesgo: 0.75
Característica adicional: AVALANCHE CLASIFICADO, ALTA FIABILIDAD
Clasificación energética de avalancha (Eas): 520 mJ
Conexión de la caja: DRAIN
Configuración: ÚNICO CON DIODO INTEGRADO
Desglose de DS voltaje-Mín: 100 V
Corriente de drenaje máxima (Abs) (ID): 48 A
Corriente de drenaje máxima (ID): 55 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 0.03 Ω
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL SEMICONDUCTOR
Código JEDEC-95: TO-220AB
Código JESD-30: R-PSFM-T3
Número de elementos: 1
Número de terminales: 3
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Temperatura de funcionamiento máxima: 175 ° C
Temperatura de funcionamiento mínima: -55 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: MONTAJE DE BRIDA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): NO ESPECIFICADA
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Disipación de energía-Máx. (Abs): 150 W
Corriente de drenaje pulsada-máx. (IDM): 190 A
Estado de calificación: no calificado
Subcategoría: FET General Purpose Power
Montaje en superficie: NO
Forma de terminal: THROUGH-HOLE
Posición terminal: SOLO
Horario
Transistor de efecto de campo de potencia, 55A I (D), 100V, 0.03ohm, 1 elemento, canal N, silicio, semiconductor de óxido metálico FET, TO-220AB, PAQUETE 3 SIN PLOMO
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