ИРЛ2910ПБФ
#ИРЛ2910ПБФ International Rectifier IRL2910PBF New IRL2910PBF Power Field-Effect Транзистор, 55A I (D), 100 В, 0.03 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, оксид металла Полупроводниковое ПОЛЕВОЙ, ТО-220АБ, БЕСПРОВОДНЫЙ ПАКЕТ-3; Картины IRL2910PBF, IRL2910PBF, цена IRL2910PBF, # IRL2910PBF поставщик
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Номер детали производителя: IRL2910PBF
Код RoHS: Да
Код жизненного цикла детали: активный
Производитель IHS: Infineon ТЕХНОЛОГИИ АГ
Описание упаковки: КРЕПЛЕНИЕ ФЛАНЦА, R-PSFM-T3
Код ECCN: EAR99
Производитель: Infineon Technologies AG
Рейтинг риска: 0.75
Дополнительная характеристика: ЛАВИНА, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ
Рейтинг энергии лавин (EAS): 520 мДж
Подключение корпуса: СЛИВ
Конфигурация: ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ
Разбивка DS напряжение-Мин .: 100 В
Максимальный ток стока (Abs) (ID): 48 A
Максимальный ток стока (ID): 55 A
Макс. Сопротивление сток-источник: 0.03 Ом
FET Технологии: МЕТАЛЛООКСИД ПОЛУПРОВОДНИК
Код JEDEC-95: TO-220AB
Код JESD-30: R-PSFM-T3
Количество элементов: 1
Количество терминалов: 3
Режим работы: РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ
Максимальная рабочая температура: 175 ° C
Рабочая температура - мин .: -55 ° C
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: КРЕПЛЕНИЕ ФЛАНЦА
Пиковая температура оплавления (Cel): НЕ УКАЗАНО
Полярность / Тип канала: N-CHANNEL
Рассеиваемая мощность - макс. (Абс.): 150 Вт
Максимальный импульсный ток стока (IDM): 190 A
Статус квалификации: не соответствует требованиям
Подкатегория: FET General Purpose Power
Поверхностное крепление: НЕТ
Форма клеммы: ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ
Конечное положение: ОДИН
Время
Силовой полевой транзистор, 55 А, I (D), 100 В, 0.03 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый транзистор, TO-220AB, БЕСПРОВОДНЫЙ ПАКЕТ-3
Код RoHS: Да
Код жизненного цикла детали: активный
Производитель IHS: Infineon ТЕХНОЛОГИИ АГ
Описание упаковки: КРЕПЛЕНИЕ ФЛАНЦА, R-PSFM-T3
Код ECCN: EAR99
Производитель: Infineon Technologies AG
Рейтинг риска: 0.75
Дополнительная характеристика: ЛАВИНА, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ
Рейтинг энергии лавин (EAS): 520 мДж
Подключение корпуса: СЛИВ
Конфигурация: ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ
Разбивка DS напряжение-Мин .: 100 В
Максимальный ток стока (Abs) (ID): 48 A
Максимальный ток стока (ID): 55 A
Макс. Сопротивление сток-источник: 0.03 Ом
FET Технологии: МЕТАЛЛООКСИД ПОЛУПРОВОДНИК
Код JEDEC-95: TO-220AB
Код JESD-30: R-PSFM-T3
Количество элементов: 1
Количество терминалов: 3
Режим работы: РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ
Максимальная рабочая температура: 175 ° C
Рабочая температура - мин .: -55 ° C
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: КРЕПЛЕНИЕ ФЛАНЦА
Пиковая температура оплавления (Cel): НЕ УКАЗАНО
Полярность / Тип канала: N-CHANNEL
Рассеиваемая мощность - макс. (Абс.): 150 Вт
Максимальный импульсный ток стока (IDM): 190 A
Статус квалификации: не соответствует требованиям
Подкатегория: FET General Purpose Power
Поверхностное крепление: НЕТ
Форма клеммы: ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ
Конечное положение: ОДИН
Время
Силовой полевой транзистор, 55 А, I (D), 100 В, 0.03 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый транзистор, TO-220AB, БЕСПРОВОДНЫЙ ПАКЕТ-3
« БСМ15ГП120 VI-B7R-ЕС »