IRL2910PBF
#IRL2910PBF Redresseur international IRL2910PBF, nouvelle puissance à effet de champ IRL2910PBF Transistor, 55A I(D), 100V, 0.03ohm, 1 élément, canal N, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, TO-220AB, PAQUET SANS PLOMB-3 ; IRL2910PBF, images IRL2910PBF, prix IRL2910PBF, fournisseur #IRL2910PBF
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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Numéro de pièce du fabricant : IRL2910PBF
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: actif
Ihs Fabricant : Infineon TECHNOLOGIES SA
Description de l'emballage: MONTAGE À BRIDE, R-PSFM-T3
Code ECCN: EAR99
Fabricant: Infineon Technologies AG
Classement de risque: 0.75
Caractéristique supplémentaire : ÉVALUÉ AVALANCHE, HAUTE FIABILITÉ
Indice d'énergie d'avalanche (Eas) : 520 mJ
Connexion du boîtier : DRAIN
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 100 V
Courant de vidange-Max (Abs) (ID): 48 A
Courant de drain-Max (ID): 55 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.03 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL SEMI-CONDUCTEUR
Code JEDEC-95: TO-220AB
Code JESD-30: R-PSFM-T3
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 3
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 175 ° C
Température de fonctionnement-Min: -55 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style d'emballage: MONTAGE À BRIDE
Température de reflux de pointe (Cel): NON SPÉCIFIÉ
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Dissipation de puissance-Max (Abs): 150 W
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 190 A
Statut de qualification: non qualifié
Sous-catégorie : Puissance à usage général FET
Montage en surface: NON
Forme terminale: THROUGH-HOLE
Position terminale: UNIQUE
Temps
Transistor à effet de champ de puissance, 55A I(D), 100V, 0.03ohm, 1 élément, canal N, silicium, FET à semi-conducteur à oxyde métallique, TO-220AB, PAQUET SANS PLOMB-3
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: actif
Ihs Fabricant : Infineon TECHNOLOGIES SA
Description de l'emballage: MONTAGE À BRIDE, R-PSFM-T3
Code ECCN: EAR99
Fabricant: Infineon Technologies AG
Classement de risque: 0.75
Caractéristique supplémentaire : ÉVALUÉ AVALANCHE, HAUTE FIABILITÉ
Indice d'énergie d'avalanche (Eas) : 520 mJ
Connexion du boîtier : DRAIN
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 100 V
Courant de vidange-Max (Abs) (ID): 48 A
Courant de drain-Max (ID): 55 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.03 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL SEMI-CONDUCTEUR
Code JEDEC-95: TO-220AB
Code JESD-30: R-PSFM-T3
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 3
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 175 ° C
Température de fonctionnement-Min: -55 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style d'emballage: MONTAGE À BRIDE
Température de reflux de pointe (Cel): NON SPÉCIFIÉ
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Dissipation de puissance-Max (Abs): 150 W
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 190 A
Statut de qualification: non qualifié
Sous-catégorie : Puissance à usage général FET
Montage en surface: NON
Forme terminale: THROUGH-HOLE
Position terminale: UNIQUE
Temps
Transistor à effet de champ de puissance, 55A I(D), 100V, 0.03ohm, 1 élément, canal N, silicium, FET à semi-conducteur à oxyde métallique, TO-220AB, PAQUET SANS PLOMB-3
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