IRL2910PBF
#IRL2910PBF Raddrizzatore internazionale IRL2910PBF Nuovo effetto di campo di potenza IRL2910PBF Transistor, 55 A I(D), 100 V, 0.03 ohm, 1 elemento, canale N, silicio, ossido metallico Semiconduttore FET, TO-220AB, PACCHETTO SENZA PIOMBO-3; IRL2910PBF, immagini IRL2910PBF, prezzo IRL2910PBF, fornitore #IRL2910PBF
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E-mail: sales@shunlongwei.com
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Codice produttore: IRL2910PBF
Codice Rohs: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: attivo
Produttore: Infineon TECNOLOGIE AG
Descrizione del pacchetto: FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Codice ECCN: EAR99
Produttore: Infineon Technologies AG
Grado di rischio: 0.75
Caratteristica aggiuntiva: VALANGA VALUTATA, ALTA AFFIDABILITÀ
Valutazione energetica delle valanghe (Eas): 520 mJ
Connessione cassa: DRAIN
Configurazione: SINGOLA CON DIODO INTEGRATO
Ripartizione DS voltaggio-Min: 100 V
Scarico corrente-max (Abs) (ID): 48 A
Scarico corrente-max (ID): 55 A
Drain-source On Resistenza-Max: 0.03 .
FET Tecnologia: OSSIDO DI METALLO SEMICONDUTTORE
Codice JEDEC-95: TO-220AB
Codice JESD-30: R-PSFM-T3
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 3
Modalità operativa: MODALITÀ MIGLIORAMENTO
Temperatura di esercizio-Max: 175 ° C
Temperatura di esercizio-Min: -55 ° C
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile pacchetto: ATTACCO A FLANGIA
Temperatura di riflusso di picco (Cel): NON SPECIFICATA
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Dissipazione di potenza-Max (Abs): 150 W.
Corrente di drenaggio pulsata (IDM): 190 A
Stato della qualifica: non qualificato
Sottocategoria: FET General Purpose Power
Montaggio superficiale: NO
Modulo terminale: PASSANTE
Posizione terminale: SINGOLO
Ora
Transistor ad effetto di campo di potenza, 55 A I(D), 100 V, 0.03 ohm, 1 elemento, canale N, silicio, semiconduttore a ossido di metallo FET, TO-220AB, PACCHETTO SENZA PIOMBO-3
Codice Rohs: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: attivo
Produttore: Infineon TECNOLOGIE AG
Descrizione del pacchetto: FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Codice ECCN: EAR99
Produttore: Infineon Technologies AG
Grado di rischio: 0.75
Caratteristica aggiuntiva: VALANGA VALUTATA, ALTA AFFIDABILITÀ
Valutazione energetica delle valanghe (Eas): 520 mJ
Connessione cassa: DRAIN
Configurazione: SINGOLA CON DIODO INTEGRATO
Ripartizione DS voltaggio-Min: 100 V
Scarico corrente-max (Abs) (ID): 48 A
Scarico corrente-max (ID): 55 A
Drain-source On Resistenza-Max: 0.03 .
FET Tecnologia: OSSIDO DI METALLO SEMICONDUTTORE
Codice JEDEC-95: TO-220AB
Codice JESD-30: R-PSFM-T3
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 3
Modalità operativa: MODALITÀ MIGLIORAMENTO
Temperatura di esercizio-Max: 175 ° C
Temperatura di esercizio-Min: -55 ° C
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile pacchetto: ATTACCO A FLANGIA
Temperatura di riflusso di picco (Cel): NON SPECIFICATA
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Dissipazione di potenza-Max (Abs): 150 W.
Corrente di drenaggio pulsata (IDM): 190 A
Stato della qualifica: non qualificato
Sottocategoria: FET General Purpose Power
Montaggio superficiale: NO
Modulo terminale: PASSANTE
Posizione terminale: SINGOLO
Ora
Transistor ad effetto di campo di potenza, 55 A I(D), 100 V, 0.03 ohm, 1 elemento, canale N, silicio, semiconduttore a ossido di metallo FET, TO-220AB, PACCHETTO SENZA PIOMBO-3
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