IRL2910PBF
#IRL2910PBF Penerus Antarabangsa IRL2910PBF Baharu IRL2910PBF Kesan Medan Kuasa Transistor, 55A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Elemen, Saluran-N, Silikon, Metal-Oxide Semikonduktor FET, TO-220AB, PAKEJ PERCUMA Plumbum-3; IRL2910PBF , gambar IRL2910PBF, harga IRL2910PBF, #IRL2910PBF pembekal
-----------------------
E-mel: sales@shunlongwei.com
-----------------------
E-mel: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Nombor Bahagian Pengilang: IRL2910PBF
Kod Rohs: Ya
Kod Kitaran Separuh Hayat: Aktif
Pengilang Ihs: Infineon TEKNOLOGI AG
Penerangan Pakej: FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Kod ECCN: EAR99
Pengilang: Infineon Technologies AG
Peringkat Risiko: 0.75
Ciri Tambahan: AVALANCHE KADAR, KEBOLEHPERCAYAAN TINGGI
Penarafan Tenaga Avalanche (Eas): 520 mJ
Sambungan Kes: DRAIN
Konfigurasi: TINGGAL DENGAN DIODE BUILT-IN
Pecahan DS voltan-Min: 100 V
Saliran Arus-Maks (Abs) (ID): 48 A
Saliran Arus-Maksimum (ID): 55 A
Saliran-Sumber Pada Rintangan-Maks: 0.03 Ω
FET Teknologi: LOGAM-OKSIDA SEMIKONDUKTOR
Kod JEDEC-95: TO-220AB
Kod JESD-30: R-PSFM-T3
Bilangan Unsur: 1
Bilangan Terminal: 3
Mod Pengoperasian: MOD PENINGKATAN
Suhu Operasi-Maks: 175 ° C
Suhu Operasi-Min: -55 ° C
Bahan Badan Pakej: PLASTIK / EPOXY
Bentuk Pakej: RECTANGULAR
Gaya Pakej: FLANGE MOUNT
Suhu Aliran Puncak (Cel): TIDAK DITETAPKAN
Polariti / Jenis Saluran: N-CHANNEL
Dissipation Kuasa-Maks (Abs): 150 W
Arus Saluran Pulsed-Max (IDM): 190 A
Status Kelayakan: Tidak Berkelayakan
Subkategori: Kekuatan Tujuan Umum FET
Lekapan Permukaan: NO
Borang Terminal: MELALUI HOLE
Kedudukan Terminal: TINGGAL
Masa
Transistor Kesan Medan Kuasa, 55A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Elemen, Saluran-N, Silikon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PAKEJ BEBAS Plumbum-3
Kod Rohs: Ya
Kod Kitaran Separuh Hayat: Aktif
Pengilang Ihs: Infineon TEKNOLOGI AG
Penerangan Pakej: FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Kod ECCN: EAR99
Pengilang: Infineon Technologies AG
Peringkat Risiko: 0.75
Ciri Tambahan: AVALANCHE KADAR, KEBOLEHPERCAYAAN TINGGI
Penarafan Tenaga Avalanche (Eas): 520 mJ
Sambungan Kes: DRAIN
Konfigurasi: TINGGAL DENGAN DIODE BUILT-IN
Pecahan DS voltan-Min: 100 V
Saliran Arus-Maks (Abs) (ID): 48 A
Saliran Arus-Maksimum (ID): 55 A
Saliran-Sumber Pada Rintangan-Maks: 0.03 Ω
FET Teknologi: LOGAM-OKSIDA SEMIKONDUKTOR
Kod JEDEC-95: TO-220AB
Kod JESD-30: R-PSFM-T3
Bilangan Unsur: 1
Bilangan Terminal: 3
Mod Pengoperasian: MOD PENINGKATAN
Suhu Operasi-Maks: 175 ° C
Suhu Operasi-Min: -55 ° C
Bahan Badan Pakej: PLASTIK / EPOXY
Bentuk Pakej: RECTANGULAR
Gaya Pakej: FLANGE MOUNT
Suhu Aliran Puncak (Cel): TIDAK DITETAPKAN
Polariti / Jenis Saluran: N-CHANNEL
Dissipation Kuasa-Maks (Abs): 150 W
Arus Saluran Pulsed-Max (IDM): 190 A
Status Kelayakan: Tidak Berkelayakan
Subkategori: Kekuatan Tujuan Umum FET
Lekapan Permukaan: NO
Borang Terminal: MELALUI HOLE
Kedudukan Terminal: TINGGAL
Masa
Transistor Kesan Medan Kuasa, 55A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Elemen, Saluran-N, Silikon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PAKEJ BEBAS Plumbum-3
« BSM15GP120 VI-B7R-EU »