Der Prozess wird auf Towers PH18-Produktionsplattform für Silizium-Photonik aufbauen und Quintessents III-V-Quantenpunktlaser und optische Verstärker hinzufügen, um eine komplette Suite aktiver und passiver Silizium-Photonikelemente zu ermöglichen.
Die daraus resultierende Fähigkeit wird einen integrierten optischen Gewinn in einem standardmäßigen Silizium-Photonik-Prozess für Gießereien demonstrieren.
Das erste PDK ist für 2021 geplant, MPW-Läufe folgen im Jahr 2022.
Die Kointegration von Lasern und Verstärkern mit Siliziumphotonik am Schaltung Elementebene wird die Gesamtleistungseffizienz verbessern, herkömmliche Designbeschränkungen wie On-Chip-Verlustbudgets beseitigen, die Verpackung vereinfachen und neue Produktarchitekturen und -funktionen ermöglichen.
Beispielsweise kann ein photonischer Transceiver oder ein Sensorprodukt aus Silizium mit integrierten Lasern einen vollständigen Selbsttest auf Chip- oder Waferebene durchführen.
Diese Vorteile werden durch den Einsatz noch verstärkt Halbleiter Quantenpunkte als aktives optisches Verstärkungsmedium, das Geräte mit größerer Zuverlässigkeit, geringerem Rauschen und der Fähigkeit ermöglicht, bei höheren Temperaturen effizient zu arbeiten.
„Die Integration der III-V-Laserdiode in unsere Silizium-Photonik-Plattform wird das Design von photonischen integrierten Schaltkreisen (PIC) mit einem Chip ermöglichen. Das bedeutet, dass sowohl III-V-Quantenpunktverstärker und -laser als auch die passiven und aktiven Silizium-Photonik-Elemente von Tower von einer Gießerei in einem einzigen MPW-Chipdurchlauf geliefert werden“, sagte Dr. David Howard von Tower Halbleiter Geschäftsführer und Fellow.
Der erweiterte PH18-Prozess ist Teil des DARPA-Programms Lasers for Universal Microscale Optical Systems (LUMOS), das darauf abzielt, Hochleistungslaser auf fortschrittliche Photonik-Plattformen zu bringen und kommerzielle und Verteidigungsanwendungen zu adressieren.
Weitere Informationen zur Silicon Photonics-Plattform von Tower Semiconductor finden Sie hier.