Le processus s'appuiera sur la plate-forme photonique au silicium de production PH18 de Tower et ajoutera les lasers à points quantiques III-V et les amplificateurs optiques de Quintessent pour permettre une suite complète d'éléments photoniques au silicium actifs et passifs.
La capacité résultante démontrera un gain optique intégré dans un processus photonique de silicium de fonderie standard.
Le PDK initial est prévu en 2021, et les exécutions MPW suivront en 2022.
La co-intégration de lasers et d'amplificateurs avec la photonique au silicium au circuit Le niveau de l'élément améliorera l'efficacité énergétique globale, éliminera les contraintes de conception traditionnelles telles que les budgets de perte sur puce, simplifiera l'emballage et rendra possible de nouvelles architectures et fonctionnalités de produits.
Par exemple, un émetteur-récepteur ou un capteur photonique au silicium avec des lasers intégrés sera capable d'effectuer un auto-test complet au niveau de la puce ou de la plaquette.
Ces avantages sont encore renforcés par l'utilisation Semi-conducteurs les points quantiques en tant que support de gain optique actif, ce qui permet aux appareils d'une plus grande fiabilité, d'un bruit réduit et de la capacité de fonctionner efficacement à des températures plus élevées.
« L'intégration de la diode laser III-V au sein de notre plate-forme photonique sur silicium permettra la conception de circuits intégrés photoniques (PIC) monopuces. Cela signifie que les amplificateurs et lasers à points quantiques III-V, ainsi que les éléments passifs et actifs photoniques au silicium de Tower, seront livrés par une fonderie via une seule puce MPW », a déclaré le Dr David Howard, Tower Semi-conducteurs Directeur exécutif et Fellow.
Le processus PH18 augmenté fait partie du programme Lasers for Universal Microscale Optical Systems (LUMOS) de la DARPA, qui vise à apporter des lasers hautes performances aux plates-formes photoniques avancées, s'adressant aux applications commerciales et de défense.
Pour plus d'informations sur la plate-forme de photonique sur silicium de Tower Semiconductor, cliquez ici.