Il processo si baserà sulla piattaforma fotonica di silicio di produzione PH18 di Tower e aggiungerà laser e amplificatori ottici basati su punti quantici III-V di Quintessent per consentire una suite completa di elementi fotonici di silicio attivi e passivi.
La capacità risultante dimostrerà il guadagno ottico integrato in un processo fotonico di silicio da fonderia standard.
Il PDK iniziale è previsto nel 2021, con MPW che seguiranno nel 2022.
La co-integrazione di laser e amplificatori con la fotonica del silicio al circuito a livello di elemento migliorerà l'efficienza energetica complessiva, eliminerà i vincoli di progettazione tradizionali come i budget di perdita su chip, semplificherà l'imballaggio e renderà possibili nuove architetture e funzionalità di prodotto.
Ad esempio, un ricetrasmettitore fotonico al silicio o un prodotto sensore con laser integrati sarà in grado di eseguire un autotest completo a livello di chip o wafer.
Questi vantaggi sono ulteriormente migliorati dall'impiego di Semiconduttore punti quantici come mezzo di guadagno ottico attivo, che consente ai dispositivi di maggiore affidabilità, rumore ridotto e la capacità di funzionare in modo efficiente a temperature più elevate.
“L’inserimento del diodo laser III-V nella nostra piattaforma di fotonica del silicio consentirà la progettazione di circuiti integrati fotonici (PIC) a chip singolo. Ciò significa che sia gli amplificatori e i laser a punti quantici III-V, sia gli elementi attivi e passivi fotonici in silicio di Tower, saranno forniti da una fonderia attraverso un singolo chip MPW", ha affermato il Dott. David Howard, Tower Semiconduttore Direttore esecutivo e collega.
Il processo PH18 aumentato fa parte del programma Lasers for Universal Microscale Optical Systems (LUMOS) di DARPA, che mira a portare laser ad alte prestazioni su piattaforme fotoniche avanzate, indirizzando applicazioni commerciali e di difesa.
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