El proceso se basará en la plataforma de fotónica de silicio de producción PH18 de Tower y agregará láseres y amplificadores ópticos basados en puntos cuánticos III-V de Quintessent para permitir un conjunto completo de elementos fotónicos de silicio activos y pasivos.
La capacidad resultante demostrará una ganancia óptica integrada en un proceso de fotónica de silicio de fundición estándar.
El PDK inicial está previsto para 2021, y el MPW se ejecutará en 2022.
La cointegración de láseres y amplificadores con fotónica de silicio en el circuito El nivel de elemento mejorará la eficiencia energética general, eliminará las restricciones de diseño tradicionales, como los presupuestos de pérdida en el chip, simplificará el empaquetado y hará posibles nuevas arquitecturas y funcionalidades de productos.
Por ejemplo, un producto sensor o transceptor fotónico de silicio con láseres integrados será capaz de realizar una autocomprobación completa a nivel de chip o de oblea.
Estas ventajas se mejoran aún más al emplear Semiconductores puntos cuánticos como el medio de ganancia óptica activa, lo que permite dispositivos con mayor confiabilidad, menor ruido y la capacidad de operar de manera eficiente a temperaturas más altas.
“Incorporar el diodo láser III-V a nuestra plataforma fotónica de silicio permitirá el diseño de circuitos integrados fotónicos (PIC) de un solo chip. Esto significa que tanto los amplificadores y láseres de puntos cuánticos III-V como los elementos pasivos y activos de fotónica de silicio de Tower serán entregados por una fundición a través de una única ejecución de chip MPW”, afirmó el Dr. David Howard, de Tower. Semiconductores Director Ejecutivo y Miembro.
El proceso PH18 aumentado es parte del programa Láseres para sistemas ópticos universales de microescala (LUMOS) de DARPA, que tiene como objetivo llevar láseres de alto rendimiento a plataformas fotónicas avanzadas, abordando aplicaciones comerciales y de defensa.
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