Het proces bouwt voort op Tower's PH18-productiesiliciumfotonicaplatform en voegt Quintessent's III-V quantum dot-gebaseerde lasers en optische versterkers toe om een complete suite van actieve en passieve siliciumfotonische elementen mogelijk te maken.
Het resulterende vermogen zal een geïntegreerde optische versterking demonstreren in een standaard fotonicaproces voor gieterijsilicium.
De eerste PDK is gepland in 2021, met MPW-runs in 2022.
De co-integratie van lasers en versterkers met siliciumfotonica op de circuit elementniveau verbetert de algehele energie-efficiëntie, elimineert traditionele ontwerpbeperkingen zoals on-chip verliesbudgetten, vereenvoudigt de verpakking en maakt nieuwe productarchitecturen en -functionaliteiten mogelijk.
Een silicium fotonische transceiver of sensorproduct met geïntegreerde lasers zal bijvoorbeeld in staat zijn tot volledige zelftest op chip- of waferniveau.
Deze voordelen worden nog versterkt door gebruik te maken van Halfgeleider quantum-dots als de actieve optische versterkingsmedia, waardoor apparaten met een grotere betrouwbaarheid, minder ruis en de mogelijkheid om efficiënt te werken bij hogere temperaturen.
“Door de III-V-laserdiode binnen ons siliciumfotonicaplatform te brengen, wordt het ontwerpen van fotonische geïntegreerde schakelingen (PIC) met één chip mogelijk. Dit betekent dat zowel III-V quantum dot-versterkers en lasers, als de passieve en actieve siliciumfotonica-elementen van Tower, door een gieterij zullen worden geleverd via een enkele MPW-chiprun”, aldus Dr. David Howard, Tower Halfgeleider Uitvoerend directeur en fellow.
Het verbeterde PH18-proces maakt deel uit van DARPA's Lasers for Universal Microscale Optical Systems (LUMOS)-programma, dat tot doel heeft hoogwaardige lasers naar geavanceerde fotonicaplatforms te brengen, gericht op commerciële en defensietoepassingen.
Bezoek hier voor meer informatie over het Silicon Photonics-platform van Tower Semiconductor.