O processo se baseará na plataforma fotônica de silício de produção PH18 da Tower e adicionará os lasers e amplificadores ópticos baseados em pontos quânticos III-V da Quintessent para permitir um conjunto completo de elementos fotônicos de silício ativos e passivos.
A capacidade resultante demonstrará ganho óptico integrado em um processo fotônico de silício de fundição padrão.
O PDK inicial está planejado para 2021, com o MPW sendo executado em 2022.
A co-integração de lasers e amplificadores com fotônica de silício no o circuito O nível de elemento melhorará a eficiência geral de energia, eliminará as restrições de design tradicionais, como orçamentos de perda no chip, simplificará o empacotamento e possibilitará novas arquiteturas e funcionalidades de produtos.
Por exemplo, um transceptor fotônico de silício ou produto de sensor com lasers integrados será capaz de autoteste completo no nível do chip ou wafer.
Essas vantagens são ainda mais aprimoradas com o emprego de Semicondutores quantum-dots como a mídia de ganho óptico ativa, que permite dispositivos com maior confiabilidade, menor ruído e a capacidade de operar com eficiência em temperaturas mais altas.
“Trazer o diodo laser III-V para nossa plataforma fotônica de silício permitirá o projeto de circuito integrado fotônico (PIC) de chip único. Isso significa que os amplificadores e lasers de pontos quânticos III-V e os elementos passivos e ativos fotônicos de silício da Tower serão entregues por uma fundição por meio de um único chip MPW”, disse o Dr. Semicondutores Diretor Executivo e Fellow.
O processo PH18 aumentado é parte do programa Lasers para Sistemas Ópticos em Microescala Universal (LUMOS) da DARPA, que visa trazer lasers de alto desempenho para plataformas fotônicas avançadas, abordando aplicações comerciais e de defesa.
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