Quá trình này sẽ xây dựng trên nền tảng quang tử silicon sản xuất PH18 của Tower và thêm laser dựa trên chấm lượng tử III-V của Quintessent và bộ khuếch đại quang học để tạo ra một bộ hoàn chỉnh các phần tử quang tử silicon chủ động và thụ động.
Khả năng thu được sẽ chứng minh độ lợi quang học tích hợp trong quy trình quang tử silicon đúc tiêu chuẩn.
PDK ban đầu được lên kế hoạch vào năm 2021, với MPW chạy sau đó vào năm 2022.
Sự đồng tích hợp của laser và bộ khuếch đại với quang tử silicon tại mạch cấp phần tử sẽ cải thiện hiệu suất điện năng tổng thể, loại bỏ các ràng buộc thiết kế truyền thống như ngân sách tổn thất trên chip, đơn giản hóa việc đóng gói và tạo ra các kiến trúc và chức năng sản phẩm mới.
Ví dụ, một sản phẩm cảm biến hoặc bộ thu phát quang tử silicon có tích hợp laser sẽ có khả năng tự kiểm tra hoàn toàn ở cấp độ chip hoặc tấm wafer.
Những lợi thế này được nâng cao hơn nữa bằng cách sử dụng Semiconductor chấm lượng tử làm phương tiện khuếch đại quang học hoạt động, cho phép các thiết bị có độ tin cậy cao hơn, tiếng ồn thấp hơn và khả năng hoạt động hiệu quả ở nhiệt độ cao hơn.
“Việc đưa diode laser III-V vào nền tảng quang tử silicon của chúng tôi sẽ cho phép thiết kế mạch tích hợp quang tử đơn chip (PIC). Điều này có nghĩa là cả bộ khuếch đại chấm lượng tử III-V và laser cũng như các phần tử chủ động và thụ động quang tử silicon của Tower, sẽ được phân phối bởi một xưởng đúc thông qua một lần chạy chip MPW duy nhất,” Tiến sĩ David Howard, Tower cho biết Semiconductor Giám đốc điều hành và đồng nghiệp.
Quy trình PH18 tăng cường là một phần của chương trình Laser cho các hệ thống quang học vi mô phổ quát (LUMOS) của DARPA, nhằm mục đích mang lại các tia laser hiệu suất cao cho các nền quang tử tiên tiến, giải quyết các ứng dụng thương mại và quốc phòng.
Để biết thêm thông tin về nền tảng Silicon Photonics của Tower Semiconductor, hãy truy cập vào đây.