CBA desarrollado conjuntamente (CMOS conectado directamente al conjunto) la tecnología permite que las obleas CMOS y las obleas de matriz de celdas se optimicen y fabriquen por separado y luego se unan en una pila para obtener una alta densidad de bits y una alta velocidad de E/S: para este último se afirma que 3.2 Gbit/s.
“A través de nuestra asociación de ingeniería, hemos lanzado el flash 'BiCS' de octava generación, con la densidad de bits más alta de la industria”, dijo Masaki Momodomi, CTO de Kioxia. “Al aplicar la tecnología CBA y escalar, hemos mejorado nuestra memoria flash para su uso en aplicaciones que incluyen teléfonos inteligentes, dispositivos IoT y centros de datos”.