Совместная разработка CBA (CMOS, напрямую связанная с массивом) technology позволяет оптимизировать и изготавливать пластины CMOS и массивов ячеек отдельно, а затем объединять их в стек для обеспечения высокой битовой плотности и высокой скорости ввода-вывода — для последнего заявлено 3.2 Гбит/с.
«Благодаря нашему инженерному партнерству мы выпустили флэш-память BiCS восьмого поколения с самой высокой плотностью битов в отрасли, — сказал технический директор Kioxia Масаки Момодоми. «Применяя технологию CBA и масштабирование, мы усовершенствовали нашу флэш-память для использования в приложениях, включая смартфоны, устройства IoT и центры обработки данных».