CBA yang dikembangkan bersama (CMOS terikat langsung ke array) teknologi memungkinkan wafer CMOS dan wafer susunan sel dioptimalkan dan diproduksi secara terpisah, lalu disatukan dalam tumpukan untuk kepadatan bit tinggi dan kecepatan IO tinggi – diklaim 3.2Gbit/dtk untuk yang terakhir.
“Melalui kemitraan teknik kami, kami telah meluncurkan flash 'BiCS' generasi kedelapan, dengan kepadatan bit tertinggi di industri ini,” ujar CTO Kioxia Masaki Momodomi. “Dengan menerapkan teknologi dan penskalaan CBA, kami telah meningkatkan memori flash kami untuk digunakan dalam aplikasi termasuk smartphone, perangkat IoT, dan pusat data.”