共同開発したCBA（CMOSをアレイに直接接合） テクノロジー これにより、CMOS ウェーハとセル アレイ ウェーハを最適化して個別に製造し、その後スタックとして貼り合わせて高ビット密度と高速 IO 速度を実現できます。後者では 3.2Gbit/s と謳われています。
キオクシアの CTO である桃富正樹氏は、次のように述べています。 「CBA 技術とスケーリングを適用することで、スマートフォン、IoT デバイス、データセンターなどのアプリケーションで使用できるようにフラッシュ メモリを進化させました。」