CBA yang dibangunkan bersama (CMOS terikat secara langsung kepada tatasusunan) teknologi membolehkan wafer CMOS dan wafer tatasusunan sel dioptimumkan dan dihasilkan secara berasingan, dan kemudian diikat bersama dalam tindanan untuk ketumpatan bit yang tinggi dan kelajuan IO yang tinggi – 3.2Gbit/s dituntut untuk yang terakhir.
"Melalui perkongsian kejuruteraan kami, kami telah melancarkan denyar 'BiCS' generasi kelapan, dengan ketumpatan bit tertinggi industri," kata CTO Kioxia Masaki Momodomi. “Dengan menggunakan teknologi dan penskalaan CBA, kami telah memajukan memori kilat kami untuk digunakan dalam aplikasi termasuk telefon pintar, peranti IoT dan pusat data.”