el Infineon FS150R06KL4_B4 IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) módulo. Aquí hay un desglose de las especificaciones clave:
- Voltaje Colector-Emisor (Vces): El voltaje máximo que se puede aplicar entre los terminales colector y emisor del IGBT es de 600 voltios.
- Corriente continua del colector de CC: La corriente continua máxima que puede manejar el IGBT sin exceder sus especificaciones es de 150 amperios.
- Corriente de colector pico repetitiva (ICRM): Esta es la corriente máxima que el IGBT puede manejar en condiciones pico repetitivas. Tiene una potencia nominal de 300 amperios.
- Disipación de potencia total (Ptot): La máxima disipación de potencia, o calor, que el módulo IGBT puede manejar sin exceder sus especificaciones es de 570 vatios.
- Voltaje pico puerta-emisor (VGES): El voltaje máximo máximo que se puede aplicar entre la puerta y los terminales del emisor del IGBT es de +/-20 voltios.
- Temperatura bajo condiciones de conmutación (Tvj op): El rango de temperatura de funcionamiento del módulo IGBT en condiciones de conmutación es de -40 °C a 150 °C. Esto significa que puede funcionar dentro de este rango de temperatura mientras se enciende o se utiliza activamente.
Estas especificaciones son esenciales para diseñar y utilizar el módulo IGBT en diversas aplicaciones, garantizando que funcione dentro de sus límites seguros y especificados.