Инфинеон FS150R06KL4_B4 IGBT (Биполярный транзистор с изолированным затвором) модуль. Вот разбивка основных характеристик:
- Напряжение коллектор-эмиттер (Vces): Максимальное напряжение, которое может быть приложено между клеммами коллектора и эмиттера IGBT, составляет 600 вольт.
- Непрерывный ток коллектора постоянного тока: Максимальный непрерывный ток, который может выдержать IGBT, не превышая его технических характеристик, составляет 150 ампер.
- Повторяющийся пиковый ток коллектора (ICRM): Это максимальный ток, который IGBT может выдержать в повторяющихся пиковых условиях. Он рассчитан на 300 ампер.
- Общая рассеиваемая мощность (Ptot): Максимальная рассеиваемая мощность или тепло, которую может выдержать модуль IGBT, не превышая его технических характеристик, составляет 570 Вт.
- Пиковое напряжение затвор-эмиттер (VGES): Максимальное пиковое напряжение, которое может быть приложено между клеммами затвора и эмиттера IGBT, составляет +/- 20 Вольт.
- Температура в условиях переключения (Tvj op): Диапазон рабочих температур модуля IGBT в условиях переключения составляет от -40°C до 150°C. Это означает, что он может работать в этом температурном диапазоне при переключении или активном использовании.
Эти спецификации необходимы для проектирования и использования модуля IGBT в различных приложениях, гарантируя его работу в безопасных и заданных пределах.