Infineon FS150R06KL4_B4 IGBT (Transistor Bipolar Gerbang Bertebat) modul. Berikut ialah pecahan spesifikasi utama:
- Voltan Pemungut-Pemancar (Vces): Voltan maksimum yang boleh digunakan antara terminal pengumpul dan pemancar IGBT ialah 600 volt.
- Arus Pemungut DC Berterusan: Arus berterusan maksimum yang boleh dikendalikan oleh IGBT tanpa melebihi spesifikasinya ialah 150 ampere.
- Arus Pengumpul Puncak Berulang (ICRM): Ini ialah arus maksimum yang boleh dikendalikan oleh IGBT dalam keadaan puncak yang berulang. Ia dinilai pada 300 ampere.
- Jumlah Pelesapan Kuasa (Ptot): Pelesapan kuasa maksimum, atau haba, yang boleh dikendalikan oleh modul IGBT tanpa melebihi spesifikasinya ialah 570 watt.
- Voltan Puncak Pemancar Gerbang (VGES): Voltan puncak maksimum yang boleh digunakan antara pintu gerbang dan terminal pemancar IGBT ialah +/-20 volt.
- Suhu Dalam Keadaan Bertukar (Tvj op): Julat suhu operasi untuk modul IGBT di bawah keadaan pensuisan adalah dari -40°C hingga 150°C. Ini bermakna ia boleh beroperasi dalam julat suhu ini semasa menukar atau digunakan secara aktif.
Spesifikasi ini penting untuk mereka bentuk dan menggunakan modul IGBT dalam pelbagai aplikasi, memastikan ia beroperasi dalam had yang selamat dan ditetapkan.