de Infineon FS150R06KL4_B4 IGBT (Bipolaire transistor met geïsoleerde poort) module. Hier is een overzicht van de belangrijkste specificaties:
- Collector-emitterspanning (Vces): De maximale spanning die kan worden aangelegd tussen de collector- en emitteraansluitingen van de IGBT is 600 volt.
- Continue DC-collectorstroom: De maximale continue stroom die de IGBT aankan zonder de specificaties te overschrijden, is 150 ampère.
- Herhaalde piekcollectorstroom (ICRM): Dit is de maximale stroom die de IGBT aankan in repetitieve piekomstandigheden. Het heeft een vermogen van 300 ampère.
- Totale vermogensdissipatie (Ptot): De maximale vermogensdissipatie, of warmte, die de IGBT-module aankan zonder de specificaties te overschrijden, is 570 watt.
- Gate-emitter-piekspanning (VGES): De maximale piekspanning die kan worden aangelegd tussen de poort- en emitteraansluitingen van de IGBT is +/- 20 volt.
- Temperatuur onder schakelomstandigheden (Tvj op): Het bedrijfstemperatuurbereik voor de IGBT-module onder schakelomstandigheden is van -40°C tot 150°C. Dit betekent dat hij binnen dit temperatuurbereik kan werken terwijl hij schakelt of actief wordt gebruikt.
Deze specificaties zijn essentieel voor het ontwerpen en gebruiken van de IGBT-module in verschillende toepassingen, en zorgen ervoor dat deze binnen de veilige en gespecificeerde limieten werkt.