インフィニオン FS150R06KL4_B4 IGBT (絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ) モジュール。 主な仕様の内訳は次のとおりです。
- コレクタ・エミッタ間電圧 (Vces): IGBT のコレクタ端子とエミッタ端子の間に印加できる最大電圧は 600 ボルトです。
- 連続DCコレクタ電流: IGBT が仕様を超えずに処理できる最大連続電流は 150 アンペアです。
- 反復ピークコレクタ電流 (ICRM): これは、IGBT が繰り返しピーク状態で処理できる最大電流です。 定格は300アンペアです。
- 総電力損失 (Ptot): IGBT モジュールが仕様を超えずに処理できる最大電力損失、つまり熱は 570 ワットです。
- ゲート・エミッタ間ピーク電圧 (VGES): IGBT のゲート端子とエミッタ端子の間に印加できる最大ピーク電圧は +/-20 ボルトです。
- スイッチング条件下での温度 (Tvj op): スイッチング条件下での IGBT モジュールの動作温度範囲は -40°C ～ 150°C です。 これは、スイッチング中またはアクティブな使用中に、この温度範囲内で動作できることを意味します。
これらの仕様は、さまざまなアプリケーションで IGBT モジュールを設計および使用するために不可欠であり、指定された安全な制限内で動作することを保証します。