der Infineon FS150R06KL4_B4 IGBT (Bipolartransistor mit isoliertem Gate) Modulen. Hier ist eine Aufschlüsselung der wichtigsten Spezifikationen:
- Kollektor-Emitter-Spannung (Vces): Die maximale Spannung, die zwischen den Kollektor- und Emitteranschlüssen des IGBT angelegt werden kann, beträgt 600 Volt.
- Kontinuierlicher DC-Kollektorstrom: Der maximale Dauerstrom, den der IGBT verarbeiten kann, ohne seine Spezifikationen zu überschreiten, beträgt 150 Ampere.
- Wiederkehrender Spitzenkollektorstrom (ICRM): Dies ist der maximale Strom, den der IGBT bei sich wiederholenden Spitzenbedingungen verarbeiten kann. Die Nennleistung liegt bei 300 Ampere.
- Gesamtverlustleistung (Ptot): Die maximale Verlustleistung bzw. Wärme, die das IGBT-Modul verarbeiten kann, ohne seine Spezifikationen zu überschreiten, beträgt 570 Watt.
- Gate-Emitter-Spitzenspannung (VGES): Die maximale Spitzenspannung, die zwischen den Gate- und Emitteranschlüssen des IGBT angelegt werden kann, beträgt +/-20 Volt.
- Temperatur unter Schaltbedingungen (Tvj op): Der Betriebstemperaturbereich des IGBT-Moduls unter Schaltbedingungen liegt zwischen -40 °C und 150 °C. Dies bedeutet, dass der Betrieb innerhalb dieses Temperaturbereichs beim Schalten oder bei aktiver Nutzung möglich ist.
Diese Spezifikationen sind für die Entwicklung und Verwendung des IGBT-Moduls in verschiedenen Anwendungen von wesentlicher Bedeutung und stellen sicher, dass es innerhalb seiner sicheren und spezifizierten Grenzen arbeitet.