o Infineon FS150R06KL4_B4 IGBT (Transistor bipolar de porta isolada) módulo. Aqui está uma análise das principais especificações:
- Tensão Coletor-Emissor (Vces): A tensão máxima que pode ser aplicada entre os terminais coletor e emissor do IGBT é de 600 volts.
- Corrente Contínua do Coletor DC: A corrente contínua máxima que o IGBT pode suportar sem exceder suas especificações é de 150 amperes.
- Corrente de Coletor de Pico Repetitivo (ICRM): Esta é a corrente máxima que o IGBT pode suportar em condições de pico repetitivos. É avaliado em 300 amperes.
- Dissipação Total de Potência (Ptot): A dissipação máxima de energia, ou calor, que o módulo IGBT pode suportar sem exceder suas especificações é de 570 watts.
- Tensão de pico do portão-emissor (VGES): A tensão de pico máxima que pode ser aplicada entre os terminais de porta e emissor do IGBT é de +/- 20 volts.
- Temperatura sob condições de comutação (Tvj op): A faixa de temperatura operacional do módulo IGBT sob condições de comutação é de -40°C a 150°C. Isso significa que ele pode operar dentro dessa faixa de temperatura durante a comutação ou uso ativo.
Estas especificações são essenciais para projetar e utilizar o módulo IGBT em diversas aplicações, garantindo que ele opere dentro de seus limites seguros e especificados.