Infineon FS150R06KL4_B4 IGBT (Transistor bipolare a gate isolato) modulo. Ecco una ripartizione delle specifiche principali:
- Tensione collettore-emettitore (Vces): La tensione massima che può essere applicata tra i terminali del collettore e dell'emettitore dell'IGBT è 600 volt.
- Corrente CC continua del collettore: La corrente continua massima che l'IGBT può gestire senza superare le sue specifiche è di 150 ampere.
- Corrente di picco ripetitiva del collettore (ICRM): Questa è la corrente massima che l'IGBT può gestire in condizioni di picco ripetitive. Ha una potenza nominale di 300 ampere.
- Dissipazione di potenza totale (Ptot): La massima dissipazione di potenza, o calore, che il modulo IGBT può gestire senza superare le sue specifiche è di 570 watt.
- Tensione di picco gate-emettitore (VGES): La tensione di picco massima che può essere applicata tra i terminali di gate e di emettitore dell'IGBT è di +/-20 volt.
- Temperatura in condizioni di commutazione (Tvj op): L'intervallo di temperatura operativa per il modulo IGBT in condizioni di commutazione va da -40°C a 150°C. Ciò significa che può funzionare entro questo intervallo di temperature durante la commutazione o l'utilizzo attivo.
Queste specifiche sono essenziali per progettare e utilizzare il modulo IGBT in varie applicazioni, garantendo che funzioni entro i limiti di sicurezza e specificati.