#FZ2400R12HE4_B9 Infineon FZ2400R12HE4_B9 New IHM-B Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und bereits aufgetragenem Thermal Interface Material, FZ2400R12HE4_B9 pictures, FZ2400R12HE4_B9 price, #FZ2400R12HE4_B9 supplier
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Email: sales@shunlongwei.com
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FZ2400R12HE4_B9
Typical Applications
High power converter
Motor drive
Electrical Feature
Extended operating temperature Tvj op
Low switching losse
Mechanical Features
Package with CTI >400
Highpowerdensit
IHM B housin
RoHS compliant
Pre-applied Thermal Interface Materia
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emitter voltageTvj = 25°CVCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom Continuous DC collector currentTH = 90°C, Tvj max = 175°C IC nom 2400 A
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom Repetitive peak collector currenttP = 1 ms ICRM 4800 A
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitter peak voltage VGES +/-20 V
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High power converter
Motor drive
Electrical Feature
Extended operating temperature Tvj op
Low switching losse
Mechanical Features
Package with CTI >400
Highpowerdensit
IHM B housin
RoHS compliant
Pre-applied Thermal Interface Materia
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emitter voltageTvj = 25°CVCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom Continuous DC collector currentTH = 90°C, Tvj max = 175°C IC nom 2400 A
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom Repetitive peak collector currenttP = 1 ms ICRM 4800 A
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitter peak voltage VGES +/-20 V
IHM-B Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und bereits aufgetragenem Thermal Interface Material