프로세스 로드맵은 연간 주기에 있습니다. 현재 10nm 공정을 거친 후, Intel은 Intel 7nm에 비해 와트당 성능이 약 10~15% 증가한 'Intel 10'로 이동합니다.
Intel 7은 2021년 클라이언트용 Alder Lake와 2022년 XNUMX분기에 생산될 데이터 센터용 Sapphire Rapids와 같은 제품에 탑재될 예정입니다.
Intel 7 이후에 Intel 4는 EUV 리소그래피를 완전히 수용하여 면적 개선과 함께 약 20%의 와트당 성능 향상을 제공합니다.
Intel 4는 PC용 Meteor Lake와 데이터 센터용 Granite Rapids를 포함하여 2022년에 출하되는 제품을 위해 2023년 하반기에 생산될 준비가 되어 있습니다.
Intel 4에 이어 Intel 3은 추가적인 FinFET 최적화 및 증가된 EUV를 활용하여 Intel 18에 비해 약 4% 향상된 와트당 성능과 추가 영역 개선을 제공합니다. 인텔 3는 2023년 하반기에 제품 제조를 시작할 준비가 되어 있습니다.
그런 다음 Intel 20A – XNUMX세대 옹스트롬 시대 - Intel이 RibbonFET이라고 부르는 모든 트랜지스터 주변에 게이트를 도입하는 것과 Intel이 PowerVia라고 부르는 칩 뒷면의 전선을 사용하여 전력을 공급하는 새로운 방법이 있는 옹스트롬 시대.
PowerVia는 더 빠르게 제공합니다. 트랜지스터 더 작은 설치 공간에서 여러 핀과 동일한 구동 전류를 달성하는 동시에 스위칭 속도. 웨이퍼 전면에서 전원 라우팅이 필요하지 않아 신호 전송을 최적화했습니다. Intel 20A는 2024년에 출시될 것으로 예상됩니다.
Intel 20A 외에도 Intel 18A는 이미 2025년 초에 개발 중이며 RibbonFET의 개선은 트랜지스터 CEO인 Pat Gelsinger는 "당신이 생각하는 것보다 더 빨리 업계 리더십을 발휘할 것"이라고 말했습니다.
Intel은 또한 ASML과 협력하여 차세대 High Numerical Aperture를 정의, 구축 및 배포하고 있습니다. EUV 및 업계 최초의 생산 도구를 받을 것으로 예상됩니다.
Intel은 로드맵을 제공하기 위해 Imec 및 IBM과 협력하고 있습니다.