Lộ trình của quá trình được thực hiện theo nhịp độ hàng năm. Sau quy trình 10nm hiện tại, Intel chuyển sang 'Intel 7' sẽ mang lại hiệu suất trên mỗi watt tăng khoảng 10% đến 15% so với Intel 10nm.
Intel 7 sẽ được giới thiệu trong các sản phẩm như Alder Lake dành cho khách hàng vào năm 2021 và Sapphire Rapids dành cho trung tâm dữ liệu, dự kiến sẽ được sản xuất vào quý 2022 năm XNUMX.
Sau Intel 7 là Intel 4 hoàn toàn sử dụng kỹ thuật in thạch bản EUV giúp tăng hiệu suất trên mỗi watt khoảng 20%, cùng với những cải tiến về diện tích.
Intel 4 sẽ sẵn sàng sản xuất vào nửa cuối năm 2022 để vận chuyển các sản phẩm vào năm 2023, bao gồm Meteor Lake cho PC và Granite Rapids cho trung tâm dữ liệu.
Tiếp nối Intel 4, Intel 3 tận dụng tối ưu hóa FinFET hơn nữa và tăng EUV để mang lại mức tăng hiệu suất trên mỗi watt khoảng 18% so với Intel 4, cùng với các cải tiến bổ sung về diện tích. Intel 3 sẽ sẵn sàng bắt đầu sản xuất sản phẩm vào nửa cuối năm 2023.
Sau đó là Intel 20A – thế hệ đầu tiên của kỷ nguyên angstrom – có hai cải tiến lớn – sự ra đời của cổng xung quanh bóng bán dẫn – mà Intel gọi là RibbonFET – và một phương pháp cấp nguồn mới bằng dây dẫn ở mặt sau của chip mà Intel gọi là PowerVia.
PowerVia cung cấp nhanh hơn Transistor chuyển đổi tốc độ trong khi vẫn đạt được dòng truyền động giống như nhiều cánh tản nhiệt trong một diện tích nhỏ hơn. Nó tối ưu hóa việc truyền tín hiệu bằng cách loại bỏ nhu cầu định tuyến nguồn ở mặt trước của tấm bán dẫn. Intel 20A dự kiến sẽ tăng tốc vào năm 2024.
Ngoài Intel 20A, Intel 18A đã được phát triển vào đầu năm 2025 với các cải tiến cho RibbonFET sẽ mang lại một bước nhảy lớn khác trong Transistor Giám đốc điều hành Pat Gelsinger cho biết, hiệu suất này sẽ mang lại “sự dẫn đầu không thể nghi ngờ trong ngành sớm hơn bạn nghĩ”.
Intel cũng đang hợp tác với ASML để xác định, xây dựng và triển khai Khẩu độ số cao thế hệ tiếp theo EUV và mong đợi nhận được công cụ sản xuất đầu tiên trong ngành.
Intel đang hợp tác với Imec và IBM để đưa ra lộ trình.