แผนงานกระบวนการอยู่ในจังหวะประจำปี หลังจากกระบวนการ 10nm ปัจจุบัน Intel เปลี่ยนไปใช้ 'Intel 7' ซึ่งจะให้ประสิทธิภาพต่อวัตต์เพิ่มขึ้นประมาณ 10% ถึง 15% เมื่อเทียบกับ Intel 10nm
Intel 7 จะถูกนำเสนอในผลิตภัณฑ์ต่างๆ เช่น Alder Lake สำหรับลูกค้าในปี 2021 และ Sapphire Rapids สำหรับศูนย์ข้อมูล ซึ่งคาดว่าจะเริ่มดำเนินการผลิตในช่วงไตรมาสแรกของปี 2022
หลังจากที่ Intel 7 มาพร้อมกับ Intel 4 ซึ่งรวมเอา EUV lithography ซึ่งให้ประสิทธิภาพเพิ่มขึ้นประมาณ 20% ต่อวัตต์ พร้อมกับการปรับปรุงพื้นที่
Intel 4 จะพร้อมสำหรับการผลิตในช่วงครึ่งหลังของปี 2022 สำหรับผลิตภัณฑ์ที่จัดส่งในปี 2023 รวมถึง Meteor Lake สำหรับพีซีและ Granite Rapids สำหรับศูนย์ข้อมูล
ตาม Intel 4, Intel 3 ใช้ประโยชน์จากการเพิ่มประสิทธิภาพ FinFET เพิ่มเติม และเพิ่ม EUV เพื่อให้มีประสิทธิภาพต่อวัตต์เพิ่มขึ้นประมาณ 18% ต่อวัตต์มากกว่า Intel 4 พร้อมกับการปรับปรุงพื้นที่เพิ่มเติม Intel 3 พร้อมที่จะเริ่มการผลิตผลิตภัณฑ์ในช่วงครึ่งหลังของปี 2023
จากนั้นมา Intel 20A – รุ่นแรกของ ยุคอังสตรอม ซึ่งมีนวัตกรรมหลักสองประการ คือ การแนะนำเกตรอบทรานซิสเตอร์ ซึ่ง Intel เรียกว่า RibbonFET และวิธีการใหม่ในการส่งพลังงานด้วยสายไฟที่ด้านหลังของชิปซึ่ง Intel เรียกว่า PowerVia
PowerVia ส่งมอบได้เร็วขึ้น ทรานซิสเตอร์ เปลี่ยนความเร็วในขณะที่ให้กระแสขับเท่ากันกับหลายครีบในรอยเท้าที่เล็กกว่า มันเพิ่มประสิทธิภาพการส่งสัญญาณโดยขจัดความจำเป็นในการกำหนดเส้นทางพลังงานที่ด้านหน้าของเวเฟอร์ Intel 20A คาดว่าจะเพิ่มขึ้นในปี 2024
นอกเหนือจาก Intel 20A แล้ว Intel 18A กำลังอยู่ในระหว่างการพัฒนาในช่วงต้นปี 2025 ด้วยการปรับแต่ง RibbonFET ที่จะส่งมอบการก้าวกระโดดครั้งสำคัญอีกครั้ง ทรานซิสเตอร์ ประสิทธิภาพการทำงานซึ่ง CEO Pat Gelsinger กล่าวจะมอบ "ความเป็นผู้นำในอุตสาหกรรมที่ไม่ต้องสงสัยได้เร็วกว่าที่คุณคิด"
Intel ยังทำงานร่วมกับ ASML เพื่อกำหนด สร้าง และปรับใช้ High Numerical Aperture ยุคหน้า EUV และคาดว่าจะได้รับเครื่องมือการผลิตเครื่องแรกในอุตสาหกรรม
Intel กำลังทำงานร่วมกับ Imec และ IBM เพื่อนำเสนอแผนงาน