ผลิตภัณฑ์รวมถึงตัวขับเกตที่ซับซ้อน “ ตัวขับเกตแบบฝังช่วยแก้ปัญหาความท้าทายหลายประการที่เกี่ยวข้องกับทรานซิสเตอร์ SiC แบบสวิตชิ่งอย่างรวดเร็วไดรฟ์เชิงลบและการจับยึดมิลเลอร์แบบแอคทีฟจะป้องกันการเปิด - ปิดของปรสิตการตรวจจับความอิ่มตัวและการปิดระบบแบบนุ่มนวลจะตอบสนองอย่างรวดเร็ว แต่ปลอดภัยต่อเหตุการณ์ลัดวงจรภายใต้ -แรงดันไฟฟ้า ฟังก์ชั่นล็อคเอาท์ของตัวขับเกตและแรงดันไฟฟ้าบัส dc ตรวจสอบการทำงานที่เหมาะสมของระบบ” ตาม บริษัท (ดูเฟสเดียวใน แผนภาพด้านบน).
- CXT-PLA3SA12340AA 340A กระแสไฟฟ้าต่อเนื่องสูงสุด4.19mΩต่อความต้านทาน
พลังงานสวิตชิ่งทั้งหมด: 7.48mJ 'เปิด' และ 7.39mJ 'ปิด' ที่ 600V 300A - CXT-PLA3SA12550AA 550A กระแสไฟฟ้าต่อเนื่องสูงสุด2.53mΩต่อความต้านทาน
พลังงานสวิตชิ่งทั้งหมด: 9mJ 'เปิด' และ 7mJ 'ปิด' ที่ 600V 300A
ตัวเลขปัจจุบันที่ให้ไว้ดูเหมือนจะใช้สำหรับการทำงานของ Tcase = 25 ° C (Tj 175 ° C, Vgs 15V) ตัวอย่างเช่นส่วน 550A ลดลงเหลือ 400A สูงสุดสำหรับ Tcase = 90 ° C ในแผ่นข้อมูล
“ร่วมออกแบบขุมพลัง โมดูล และตัวขับเกตช่วยให้สามารถปรับพลังงานสวิตชิ่งให้ต่ำที่สุดได้โดยการปรับ dV/dt อย่างระมัดระวัง และควบคุมแรงดันไฟฟ้าเกินที่เกิดจากการสวิตชิ่งอย่างรวดเร็ว” ซิสซิโอดกล่าว
พื้นที่ปฏิบัติการที่ปลอดภัยแบบไบแอสย้อนกลับ (RBSOA) อนุญาตให้กระแสไฟฟ้าสูงสุดถึง 600A โดยมีแรงดันไฟฟ้าบัส dc สูงถึง 880V - อนุญาตให้ใช้กับแบตเตอรี่ 800V
- CMT-PLA3SB12340AA 340A กระแสไฟฟ้าต่อเนื่องสูงสุด3.25mΩต่อความต้านทาน
พลังงานสวิตชิ่งทั้งหมด: 8.42mJ 'เปิด' และ 7.05mJ 'ปิด' ที่ 600V 300A
การระบายความร้อนผ่านแผ่นฐาน AlSiC แบบแบนและหน่วยได้รับการจัดอันดับสำหรับอุณหภูมิทางแยก 175 ° C และอุณหภูมิแวดล้อมตัวขับประตู 125 ° C
“ ในตอนแรกเราได้พัฒนาแพลตฟอร์มนี้เพื่อเร่งการพัฒนามอเตอร์ขับเคลื่อนที่ใช้ SiC สำหรับ e-mobility และเรายินดีเป็นอย่างยิ่งที่ได้เห็นความต้องการของลูกค้าด้านการบินและอวกาศ” Dave Hutton ซีอีโอของ Cissiod กล่าว
สามารถเข้าถึงแผ่นข้อมูลได้จากหน้าผลิตภัณฑ์นี้