Hybrid-IGBTs mit eingebauter SiC-Diode erzielen geringere Verluste und Leistungsaufnahme

Aktualisierung: 24. Juli 2021

ROHM hat Hybrid entwickelt IGBTs mit integrierter 650-V-SiC-Schottky-Barrierediode, die RGWxx65C-Serie. Die Geräte sind gemäß dem Automotive-Zuverlässigkeitsstandard AEC-Q101 qualifiziert. Sie eignen sich hervorragend für Automobil- und Industrieanwendungen, die große Leistungen verarbeiten, wie z. B. Photovoltaik-Stromaufbereiter, Bordladegeräte und DC/DC-Wandler, die in Elektro- und Elektrofahrzeugen (xEV) verwendet werden.

Die Serie verwendet die verlustarmen SiC-Schottky-Dioden des Unternehmens im Rückkopplungsblock des IGBT als Freilaufdiode, die praktisch keine Freilaufenergie und damit minimale Diodenschaltverluste hat. Da der Erholungsstrom nicht durch den IGBT im Einschaltmodus gehandhabt werden muss, wird außerdem der Einschaltverlust des IGBT erheblich verringert. Beide Effekte zusammen bieten bis zu 67 % geringere Verluste gegenüber herkömmlichen IGBTs und 24 % geringere Verluste im Vergleich zu Super Junction Mosfets bei Verwendung von Ladegeräten im Fahrzeug. Dieser Effekt führt zu einem guten Preis-Leistungs-Verhältnis und trägt gleichzeitig zu einem geringeren Stromverbrauch in Industrie- und Automobilanwendungen bei.

Anwendungsbeispiele für die Serie sind Kfz-Ladegeräte, Fahrzeug-DC-DC-Wandler, Solar-Wechselrichter und USV.