Datenblätter:IRFS(L)4115PBFProduktfotos:TO-263ProduktschulungsmoduleHoch Spannung Integrierte Schaltkreise (HVIC-Gate-Treiber)PCN-Montage/Herkunft:MOSFET Backend-Wafer-Verarbeitung 23/Okt/2013Standardpaket:800Kategorie:Diskret Halbleiter ProdukteFamilie:FETs – SingleSerie:HEXFET®Verpackung:Tape & Reel (TR)FET-Typ:MOSFET N-Kanal, MetalloxidFET-Funktion: StandardDrain zu Source Spannung (Vdss): 150 V Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 195 A (Tc) Rds Ein (max.) bei Id, Vgs: 12.1 mOhm bei 62 A, 10 VVgs(th) (max.) bei Id: 5 V bei 250 µAGate-Ladung ( Qg) bei Vgs: 120 nC bei 10 VI. Eingangskapazität (Ciss) bei Vds: 5270 pF bei 50 V. Leistung – max.: 375 W. Montagetyp: Oberflächenmontage. Gehäuse/Gehäuse: TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Tab), TO-263AB. Paket des Zuliefergeräts: D2PAK. Dynamisch Katalog:N-Kanal-Standard-FETsAndere Namen:IRFS4115TRLPBFTR #IRFS4115TRLPBF International Rectifier IRFS4115TRLPBF Neuer Leistungs-Feldeffekt Transistor, 99A I(D), 150V, 0.0121ohm, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Metalloxid Halbleiter FET, TO-263AB, BLEIFREI, KUNSTSTOFF, D2PAK-3, IRFS4115TRLPBF-Bilder, IRFS4115TRLPBF-Preis, #IRFS4115TRLPBF-Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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Hersteller-Teilenummer: IRFS4115TRLPBF
Rohs Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Aktiv
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Packungsbeschreibung: SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: Infineon Technologies AG
Risikorang: 0.81
Leistungs-Feldeffekttransistor, 99A I(D), 150V, 0.0121ohm, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Metalloxid Halbleiter FET, TO-263AB, BLEIFREI, KUNSTSTOFF, D2PAK-3
Rohs Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Aktiv
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Packungsbeschreibung: SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: Infineon Technologies AG
Risikorang: 0.81
Leistungs-Feldeffekttransistor, 99A I(D), 150V, 0.0121ohm, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Metalloxid Halbleiter FET, TO-263AB, BLEIFREI, KUNSTSTOFF, D2PAK-3