データシート:IRFS(L)4115PBF製品写真:TO-263製品トレーニング モジュール高 電圧 集積回路 (HVIC ゲート ドライバー)PCN アセンブリ/原点:モスフェット バックエンドウェーハ処理23/Oct/2013標準パッケージ:800カテゴリ:ディスクリート 半導体 製品ファミリー:FET – シングルシリーズ:HEXFET®パッケージング:テープ＆リール (TR)FET タイプ:モスフェット Nチャネル、金属酸化物FET機能：StandardDrain to Source 電圧 (Vdss):150V 電流 – 連続ドレイン (Id) @ 25° C:195A (Tc)Rds オン (最大) @ Id、Vgs:12.1 mOhm @ 62A、10VVgs(th) (最大) @ Id:5V @ 250µAGate 充電 ( Qg) @ Vgs:120nC @ 10V入力容量 (Ciss) @ Vds:5270pF @ 50V電力 – 最大:375W実装タイプ:表面実装パッケージ/ケース:TO-263-3、D²Pak (2 リード + タブ)、TO-263ABSサプライヤー デバイス パッケージ:D2PAKDynamicカタログ:N チャネル標準 FET その他の名前:IRFS4115TRLPBFTR #IRFS4115TRLPBF インターナショナル整流器 IRFS4115TRLPBF 新しい電力電界効果 トランジスタ、99A I（D）、150V、0.0121オーム、1エレメント、Nチャネル、シリコン、金属酸化物 半導体 FET、TO-263AB、鉛フリー、プラスチック、D2PAK-3、IRFS4115TRLPBF 写真、IRFS4115TRLPBF 価格、#IRFS4115TRLPBF サプライヤー
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Eメール：sales@shunlongwei.com
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メーカー部品番号：IRFS4115TRLPBF
Rohsコード：はい
パーツライフサイクルコード：アクティブ
Ihsメーカー：INFINEON TECHNOLOGIES AG
パッケージの説明：SMALL OUTLINE、R-PSSO-G2
ECCNコード：EAR99
メーカー：インフィニオンテクノロジーズAG
リスクランク：0.81
パワー電界効果トランジスタ、99A I（D）、150V、0.0121オーム、1エレメント、Nチャネル、シリコン、金属酸化物 半導体 FET、TO-263AB、鉛フリー、プラスチック、D2PAK-3
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Ihsメーカー：INFINEON TECHNOLOGIES AG
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ECCNコード：EAR99
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リスクランク：0.81
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