Schede tecniche:IRFS(L)4115PBFFoto del prodotto:TO-263Moduli di formazione sul prodottoAlto voltaggio Circuiti integrati (HVIC Gate Drivers)Assemblaggio PCN/Origine:mosfet Backend Wafer Processing 23/ott/2013 Pacchetto standard: 800Categoria: Discreto Semiconduttore Famiglia di prodotti:FET – SingolaSerie:HEXFET®Imballaggio:Nastro e bobina (TR)Tipo di FET:mosfet N-Channel, Metal OxideFET Caratteristica:StandardDrain to Source voltaggio (Vdss):150VCorrente – Assorbimento continuo (Id) @ 25° C:195A (Tc)Rds On (Max) @ Id, Vgs:12.1 mOhm @ 62A, 10VVgs(th) (Max) @ Id:5V @ 250µAG Carica della porta ( Qg) @ Vgs:120nC @ 10VCapacità di ingresso (Ciss) @ Vds:5270pF @ 50VPotenza – Max:375WTipo di montaggio:Montaggio superficiale Confezione/custodia:TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263ABPacchetto dispositivo fornitore:D2PAKDynamic Catalogo:FET standard a canale NAltri nomi:IRFS4115TRLPBFTR #IRFS4115TRLPBF Raddrizzatore internazionale IRFS4115TRLPBF Nuovo effetto di campo di potenza Transistor, 99A I(D), 150 V, 0.0121 ohm, 1 elemento, canale N, silicio, ossido di metallo Semiconduttore FET, TO-263AB, SENZA PIOMBO, PLASTICA, D2PAK-3, immagini IRFS4115TRLPBF, prezzo IRFS4115TRLPBF, fornitore #IRFS4115TRLPBF
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E-mail: sales@shunlongwei.com
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Numero di parte del produttore: IRFS4115TRLPBF
Codice Rohs: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: attivo
Ihs Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Descrizione della confezione: PICCOLO CONTORNO, R-PSSO-G2
Codice ECCN: EAR99
Produttore: Infineon Technologies AG
Grado di rischio: 0.81
Transistor ad effetto di campo di potenza, 99A I(D), 150V, 0.0121ohm, 1 elemento, canale N, silicio, ossido di metallo Semiconduttore FET, TO-263AB, SENZA PIOMBO, PLASTICA, D2PAK-3
Codice Rohs: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: attivo
Ihs Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Descrizione della confezione: PICCOLO CONTORNO, R-PSSO-G2
Codice ECCN: EAR99
Produttore: Infineon Technologies AG
Grado di rischio: 0.81
Transistor ad effetto di campo di potenza, 99A I(D), 150V, 0.0121ohm, 1 elemento, canale N, silicio, ossido di metallo Semiconduttore FET, TO-263AB, SENZA PIOMBO, PLASTICA, D2PAK-3