Redresseur international IRFS4115TRLPBF en stock

Fiches techniques :IRFS(L)4115PBFPhotos de produits :TO-263Modules de formation sur les produitsÉlevé Tension Circuits intégrés (pilotes de porte HVIC) Assemblage/origine PCN :mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013Package standard : 800Catégorie : Discret Semi-conducteurs Famille de produits : FET – SingleSérie : HEXFET®Emballage : Bande et bobine (TR)Type de FET :mosfet Fonctionnalité N-Channel, Metal OxideFET : Drain standard vers la source Tension (Vdss) : 150 V Courant – Drain continu (Id) à 25° C : 195 A (Tc) Rds activé (Max) à Id, Vgs : 12.1 mOhm à 62 A, 10 V Vgs (th) (Max) à Id : 5 V à 250 µAGate Charge ( Qg) @ Vgs : 120 nC à 10 VCapacité d'entrée (Ciss) @ Vds : 5270 50 pF à 375 VPuissance – Max : 263 WType de montage : Montage en surfaceEmballage/boîtier :TO-3-2, D²Pak (263 fils + languette), TO-2ABPackage de périphérique fournisseur :D4115PAKDynamic Catalogue : FET standard à canal NAutres noms :IRFSXNUMXTRLPBFTR #IRFS4115TRLPBF Redresseur international IRFS4115TRLPBF Nouvel effet de champ de puissance Transistor, 99 A I(D), 150 V, 0.0121 ohm, 1 élément, canal N, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, TO-263AB, SANS PLOMB, PLASTIQUE, D2PAK-3, images IRFS4115TRLPBF, prix IRFS4115TRLPBF, fournisseur #IRFS4115TRLPBF
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Courriel: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/irfs4115trlpbf.html

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Numéro de pièce du fabricant : IRFS4115TRLPBF
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: actif
Fabricant Ihs: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PSSO-G2
Code ECCN: EAR99
Fabricant: Infineon Technologies AG
Classement de risque: 0.81
Transistor à effet de champ de puissance, 99A I(D), 150V, 0.0121ohm, 1 élément, canal N, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, TO-263AB, SANS PLOMB, PLASTIQUE, D2PAK-3