Rectificador internacional IRFS4115TRLPBF Disponible

Fichas técnicas: IRFS (L) 4115PBF Fotos del producto: TO-263 Módulos de formación del producto Alto voltaje Circuitos integrados (controladores de compuerta HVIC) Ensamblaje / origen de PCN:mosfet Procesamiento de obleas de backend 23 / Oct / 2013 Paquete estándar: 800 Categoría: Discreto Semiconductores ProductosFamilia:FETs – IndividualSerie:HEXFET®Embalaje:Cinta y carrete (TR)Tipo de FET:mosfet Canal N, óxido metálico Característica FET: Estándar Drenaje a la fuente voltaje (Vdss):150V Corriente – Drenaje continuo (Id) @ 25° C:195A (Tc)Rds On (Max) @ Id, Vgs:12.1 mOhm @ 62A, 10VVgs(th) (Max) @ Id:5V @ 250µAGate Charge ( Qg) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Capacitancia de entrada (Ciss) @ Vds: 5270 pF @ 50 V Potencia – Máx.: 375 W Tipo de montaje: Montaje en superficie Paquete / Caja: TO-263-3, D²Pak (2 conductores + pestaña), TO-263ABPaquete de dispositivo de suministro: D2PAKDynamic Catálogo: FET estándar de canal N Otros nombres: IRFS4115TRLPBFTR #IRFS4115TRLPBF Rectificador internacional IRFS4115TRLPBF Nuevo efecto de campo de potencia Transistor, 99A I (D), 150V, 0.0121ohm, 1 elemento, canal N, silicio, óxido de metal Semiconductores FET, TO-263AB, SIN PLOMO, PLÁSTICO, D2PAK-3, imágenes IRFS4115TRLPBF, precio IRFS4115TRLPBF, proveedor #IRFS4115TRLPBF
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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/irfs4115trlpbf.html

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Número de parte del fabricante: IRFS4115TRLPBF
Código Rohs: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: activo
Fabricante de IHS: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Descripción del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA, R-PSSO-G2
Código ECCN: EAR99
Fabricante: Infineon Technologies AG
Rango de riesgo: 0.81
Transistor de efecto de campo de potencia, 99A I (D), 150V, 0.0121ohm, 1 elemento, canal N, silicio, óxido de metal Semiconductores FET, TO-263AB, SIN PLOMO, PLÁSTICO, D2PAK-3