Lembar Data:IRFS(L)4115PBFFoto Produk:TO-263Modul Pelatihan ProdukTinggi tegangan Sirkuit Terpadu (Driver Gerbang HVIC) Perakitan / Asal PCN:MOSFET Pemrosesan Wafer Backend 23/Okt/2013Paket Standar: 800Kategori: Diskrit Semikonduktor ProdukKeluarga:FET – TunggalSeri:HEXFET®Kemasan:Tape & Reel (TR)Jenis FET:MOSFET N-Channel, Metal OxideFET Fitur:StandardDrain to Source tegangan (Vdss):150VSaat ini – Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25° C:195A (Tc)Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs:12.1 mOhm @ 62A, 10VVgs(th) (Maks) @ Id:5V @ 250µAGate Charge ( Qg) @ Vgs:120nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) @ Vds:5270pF @ 50VPower – Max:375WMounting Type:Surface MountPackage / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSupplier Device Package:D2PAKDynamic Katalog:FET Standar N-ChannelNama Lain:IRFS4115TRLPBFTR #IRFS4115TRLPBF Penyearah Internasional IRFS4115TRLPBF Efek Medan Daya Baru Transistor, 99A I(D), 150V, 0.0121ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semikonduktor FET, TO-263AB, BEBAS TIMBAL, PLASTIK, D2PAK-3, gambar IRFS4115TRLPBF, harga IRFS4115TRLPBF, pemasok #IRFS4115TRLPBF
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Nomor Bagian Pabrikan: IRFS4115TRLPBF
Kode Rohs: Ya
Bagian Kode Siklus Hidup: Aktif
Produsen Ihs: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Deskripsi Paket: GARIS KECIL, R-PSSO-G2
Kode ECCN: EAR99
Produsen: Infineon Technologies AG
Peringkat Risiko: 0.81
Transistor Efek Medan Daya, 99A I(D), 150V, 0.0121ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semikonduktor FET, TO-263AB, BEBAS TIMBAL, PLASTIK, D2PAK-3
Kode Rohs: Ya
Bagian Kode Siklus Hidup: Aktif
Produsen Ihs: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Deskripsi Paket: GARIS KECIL, R-PSSO-G2
Kode ECCN: EAR99
Produsen: Infineon Technologies AG
Peringkat Risiko: 0.81
Transistor Efek Medan Daya, 99A I(D), 150V, 0.0121ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semikonduktor FET, TO-263AB, BEBAS TIMBAL, PLASTIK, D2PAK-3