데이터시트:IRFS(L)4115PBF제품 사진:TO-263제품 교육 모듈높음 전압 집적 회로(HVIC 게이트 드라이버)PCN 어셈블리/원점:이끼 백엔드 웨이퍼 처리 23년 2013월 800일 표준 패키지:XNUMX카테고리:개별 반도체 제품제품군:FET – 단일시리즈:HEXFET®패키징:테이프 및 릴(TR)FET 유형:이끼 N-채널, 금속 산화물FET 기능: 소스로의 표준 드레인 전압 (Vdss):150VC전류 – 연속 드레인(Id) @ 25°C:195A (Tc)Rds On(최대) @ Id, Vgs:12.1mOhm @ 62A, 10VVgs(th)(최대) @ Id:5V @ 250μAGate 충전( Qg) @ Vgs:120nC @ 10V입력 커패시턴스(Ciss) @ Vds:5270pF @ 50VPower – 최대:375W마운팅 유형:표면 실장패키지/케이스:TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263ABS공급 장치 패키지:D2PAKDynamic 카탈로그:N-채널 표준 FET다른 이름:IRFS4115TRLPBFTR #IRFS4115TRLPBF 국제 정류기 IRFS4115TRLPBF 새로운 전력 전계 효과 트랜지스터, 99A I (D), 150V, 0.0121ohm, 1- 요소, N- 채널, 실리콘, 금속 산화물 반도체 FET, TO-263AB, 무연, 플라스틱, D2PAK-3, IRFS4115TRLPBF 사진, IRFS4115TRLPBF 가격, #IRFS4115TRLPBF 공급업체
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이메일 : sales@shunlongwei.com
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제조업체 부품 번호: IRFS4115TRLPBF
Rohs 코드 : 예
부품 수명주기 코드 : 활성
IHS 제조업체 : INFINEON TECHNOLOGIES AG
패키지 설명 : SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
ECCN 코드 : EAR99
제조업체 : Infineon Technologies AG
위험 순위 : 0.81
전력 전계 효과 트랜지스터, 99A I(D), 150V, 0.0121ohm, 1소자, N-채널, 실리콘, 금속 산화물 반도체 FET, TO-263AB, 무연, 플라스틱, D2PAK-3
Rohs 코드 : 예
부품 수명주기 코드 : 활성
IHS 제조업체 : INFINEON TECHNOLOGIES AG
패키지 설명 : SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
ECCN 코드 : EAR99
제조업체 : Infineon Technologies AG
위험 순위 : 0.81
전력 전계 효과 트랜지스터, 99A I(D), 150V, 0.0121ohm, 1소자, N-채널, 실리콘, 금속 산화물 반도체 FET, TO-263AB, 무연, 플라스틱, D2PAK-3