Retificador internacional IRFS4115TRLPBF em estoque

Folhas de dados: IRFS (L) 4115PBF Fotos do produto: TO-263 Módulos de treinamento do produtoHigh Voltagem Circuitos integrados (drivers de porta HVIC) Montagem / Origem PCN:mosfet Processamento de Backend Wafer 23 / Out / 2013 Pacote Padrão: 800Categoria: Discreta Semicondutores Família de Produtos:FETs – Série Única:HEXFET®Embalagem:Fita e Carretel (TR)Tipo FET:mosfet Canal N, Metal OxideFET Feature: StandardDrain to Source Voltagem (Vdss):150VCorrente – Drenagem Contínua (Id) @ 25° C:195A (Tc)Rds On (Max) @ Id, Vgs:12.1 mOhm @ 62A, 10VVgs(th) (Max) @ Id:5V @ 250µAGate Charge ( Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V Capacitância de entrada (Ciss) @ Vds: 5270pF @ 50 V Potência – Máx.: 375 W Tipo de montagem: Montagem em superfície Pacote / caixa: TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB Pacote de dispositivo do fornecedor: D2PAK Dinâmico Catálogo: FETs padrão N-Channel Outros nomes: IRFS4115TRLPBFTR #IRFS4115TRLPBF Retificador Internacional IRFS4115TRLPBF Novo Efeito de Campo de Potência Transistor, 99A I (D), 150V, 0.0121ohm, 1 elemento, canal N, silício, óxido metálico Semicondutores FET, TO-263AB, SEM CHUMBO, PLÁSTICO, D2PAK-3, imagens IRFS4115TRLPBF, preço IRFS4115TRLPBF, fornecedor # IRFS4115TRLPBF
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Email: sales@shunlongwei.com

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Número da peça do fabricante: IRFS4115TRLPBF
Código Rohs: Sim
Código do ciclo de vida da peça: ativo
Fabricante Ihs: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Descrição do pacote: SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Código ECCN: EAR99
Fabricante: Infineon Technologies AG
Classificação de risco: 0.81
Transistor de efeito de campo de potência, 99A I (D), 150 V, 0.0121 ohm, 1 elemento, canal N, silício, óxido de metal Semicondutores FET, TO-263AB, SEM CHUMBO, PLÁSTICO, D2PAK-3