Bảng dữ liệu: IRFS (L) 4115PBF Ảnh sản phẩm: TO-263 Mô-đun đào tạo sản phẩmCao Vôn Mạch tích hợp (Trình điều khiển cổng HVIC) Lắp ráp PCN / Nguồn gốc:mosfet Xử lý Wafer phụ trợ 23/2013/800 Gói tiêu chuẩn: XNUMX Semiconductor Sản phẩmNhóm:FET – SingleSeries:HEXFET®Đóng gói:Tape & Reel (TR)FET Loại:mosfet N-Channel, Metal OxideFET Tính năng: StandardDrain to Source Vôn (Vdss):150VCurrent – Xả liên tục (Id) @ 25° C:195A (Tc)Rds Bật (Tối đa) @ Id, Vgs:12.1 mOhm @ 62A, 10VVgs(th) (Max) @ Id:5V @ 250µAGate Charge ( Qg) @ Vgs:120nC @ 10VĐiện dung đầu vào (Ciss) @ Vds:5270pF @ 50VPower – Tối đa:375WLoại lắp đặt:Gói gắn trên bề mặt / Vỏ:TO-263-3, D²Pak (2 dây dẫn + Tab), TO-263ABGói thiết bị nhà cung cấp:D2PAKDynamic Danh mục: FET tiêu chuẩn kênh N Tên khác: IRFS4115TRLPBFTR #IRFS4115TRLPBF Bộ chỉnh lưu quốc tế IRFS4115TRLPBF Hiệu ứng trường nguồn mới Transistor, 99A I (D), 150V, 0.0121ohm, 1 phần tử, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor Hình ảnh FET, TO-263AB, KHÔNG CHÌ, NHỰA, D2PAK-3, IRFS4115TRLPBF, giá IRFS4115TRLPBF, #IRFS4115TRLPBF nhà cung cấp
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Nhà sản xuất một phần số: IRFS4115TRLPBF
Mã Rohs: Có
Mã vòng đời một phần: Hoạt động
Nhà sản xuất Ihs: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Mô tả gói hàng: NHỎ OUTLINE, R-PSSO-G2
Mã ECCN: EAR99
Nhà sản xuất: Infineon Technologies AG
Xếp hạng rủi ro: 0.81
Bóng bán dẫn hiệu ứng trường điện, 99A I (D), 150V, 0.0121ohm, 1 phần tử, kênh N, silicon, oxit kim loại Semiconductor FET, TO-263AB, KHÔNG CHÌ, NHỰA, D2PAK-3
Mã Rohs: Có
Mã vòng đời một phần: Hoạt động
Nhà sản xuất Ihs: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Mô tả gói hàng: NHỎ OUTLINE, R-PSSO-G2
Mã ECCN: EAR99
Nhà sản xuất: Infineon Technologies AG
Xếp hạng rủi ro: 0.81
Bóng bán dẫn hiệu ứng trường điện, 99A I (D), 150V, 0.0121ohm, 1 phần tử, kênh N, silicon, oxit kim loại Semiconductor FET, TO-263AB, KHÔNG CHÌ, NHỰA, D2PAK-3