Appelé EPC2069, il est "conçu pour le côté secondaire du convertisseur cc-cc LLC de 40 - 60 V à 12 V, ce qui devient courant pour les nouveaux serveurs d'entrée 48 V - 54 V requis pour les applications informatiques à haute densité telles que l'intelligence artificielle et les jeux" , selon le PDG d'EPC, Alex Lidow. "Cet appareil offre à la fois une taille plus petite et des parasites réduits par rapport aux FET GaN 40V de la génération précédente."
Appelé EPC2069, il est disponible dans un format de 3.25 x 3.25 mm (10.6 mm2) et a une charge de porte de 12.5 nC (typ, 16.2 nC max) (20 Vds, 5 Vgs, 30 A) et aucune perte de récupération inverse, ce qui l'adapte à un fonctionnement à 1 MHz et plus.
Rds(on) dans l'appareil en mode d'amélioration est de 2.25 mΩ et il peut gérer jusqu'à 80 A en continu ou 422 A pulsé.
Les applications sont prévues pour fournir 500W à 2kW avec des rendements supérieurs à 98%, et avec une densité de puissance potentiellement supérieure à 4kW/in3, bien que « l'utilisation de dispositifs eGaN à la fois du côté primaire et du côté secondaire soit nécessaire pour atteindre une densité de puissance >4,000 XNUMX W/in3», a déclaré EPC. Electronics Weekly a demandé plus d'informations sur ce concept.
Une carte de développement associée (EPC90139 51 x 51 mm) possède un totem en demi-pont composé de deux des appareils et peut fournir jusqu'à 40 A. Il comprend un circuit pour diviser et resynchroniser un seul signal PWM externe en formes d'onde pour les fets supérieur et inférieur, ainsi que des pilotes de porte.
EPC2069 et EPC90139 sont disponibles auprès de Digi-Key